Gegevensbladen:SI5906DUProductfoto's:PowerPAK ChipFet DualStandaardpakket:1Categorie:Discreet Halfgeleider ProductenFamilie:FET's – ArraysSerie:TrenchFET®Verpakking:Cut Tape (CT)FET-type:2 N-kanaal (dubbel)FET Kenmerk:Logic Level GateDrain to Source spanning (Vdss):30Vstroom – Continu afvoer (Id) @ 25° C:6ARds Aan (Max) @ Id, Vgs:31 mOhm @ 4.8A, 10VVgs(th) (Max) @ Id:2.2V @ 250μAGate Charge (Qg) @ Vgs:8.6nC @ 10VIngangscapaciteit (Ciss) @ Vds:300pF @ 15VVermogen – Max:10.4W Montagetype: OpbouwmontagePakket / behuizing:PowerPAK® ChipFET #SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5906DU-T1-GE3 Nieuw vermogensveldeffect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.031ohm, 2-element, N-kanaal, silicium, metaaloxide Halfgeleider FET, HALOGEENVRIJ EN ROHS-conform, loodvrij, POWERPAK, CHIPFET-8, SI5906DU-T1-GE3 foto's, SI5906DU-T1-GE3 prijs, #SI5906DU-T1-GE3 leverancier
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Artikelnummer fabrikant: SI5906DU-T1-GE3
Rohs-code: Ja
Code deel levenscyclus: overgedragen
Ihs Fabrikant: VISHAY SILICIUMIX
Pakketbeschrijving: KLEINE OVERZICHT, R-XDSO-N6
Aantal pinnen: 8
ECCN-code: EAR99
Fabrikant: Vishay Siliconix
Risicorang: 7.96
Behuizingsaansluiting: DRAIN
Configuratie: APART, 2 ELEMENTEN MET INGEBOUWDE DIODE
DS-uitsplitsing spanning-Min: 30 V
Afvoerstroom-Max (ID): 6 A
Afvoerbron op weerstand-Max: 0.031 Ω
FET Technologie: METAALOXIDE Halfgeleider
JESD-30-code: R-XDSO-N6
JESD-609-code: e3
Vochtgevoeligheidsniveau: 1
Aantal elementen: 2
Aantal terminals: 6
Bedrijfsmodus: VERBETERMODUS
Bedrijfstemperatuur-Max: 150 ° C
Pakket lichaamsmateriaal: ONGESPECIFICEERD
Pakketvorm: RECHTHOEKIG
Pakketstijl: KLEINE SCHETS
Piek reflow-temperatuur (cel): 260
Polariteit / kanaaltype: N-CHANNEL
Gepulseerde afvoerstroom-Max (IDM): 25 A
Kwalificatiestatus: niet gekwalificeerd
Opbouwmontage: JA
Eindafwerking: PURE MATTE TIN
Terminal Form: GEEN LOOD
Eindpositie: DUAL
Tijd
Vermogensveldeffecttransistor, 6A I(D), 30V, 0.031ohm, 2-element, N-kanaal, silicium, metaaloxide Halfgeleider FET, HALOGEENVRIJ EN ROHS-CONFORM, LOODLOOS, POWERPAK, CHIPFET-8
Rohs-code: Ja
Code deel levenscyclus: overgedragen
Ihs Fabrikant: VISHAY SILICIUMIX
Pakketbeschrijving: KLEINE OVERZICHT, R-XDSO-N6
Aantal pinnen: 8
ECCN-code: EAR99
Fabrikant: Vishay Siliconix
Risicorang: 7.96
Behuizingsaansluiting: DRAIN
Configuratie: APART, 2 ELEMENTEN MET INGEBOUWDE DIODE
DS-uitsplitsing spanning-Min: 30 V
Afvoerstroom-Max (ID): 6 A
Afvoerbron op weerstand-Max: 0.031 Ω
FET Technologie: METAALOXIDE Halfgeleider
JESD-30-code: R-XDSO-N6
JESD-609-code: e3
Vochtgevoeligheidsniveau: 1
Aantal elementen: 2
Aantal terminals: 6
Bedrijfsmodus: VERBETERMODUS
Bedrijfstemperatuur-Max: 150 ° C
Pakket lichaamsmateriaal: ONGESPECIFICEERD
Pakketvorm: RECHTHOEKIG
Pakketstijl: KLEINE SCHETS
Piek reflow-temperatuur (cel): 260
Polariteit / kanaaltype: N-CHANNEL
Gepulseerde afvoerstroom-Max (IDM): 25 A
Kwalificatiestatus: niet gekwalificeerd
Opbouwmontage: JA
Eindafwerking: PURE MATTE TIN
Terminal Form: GEEN LOOD
Eindpositie: DUAL
Tijd
Vermogensveldeffecttransistor, 6A I(D), 30V, 0.031ohm, 2-element, N-kanaal, silicium, metaaloxide Halfgeleider FET, HALOGEENVRIJ EN ROHS-CONFORM, LOODLOOS, POWERPAK, CHIPFET-8