Alfa e Ômega Semicondutores Limited lançou o 600V aMOS7 Super Junction mosfet Família. O dispositivo é a próxima geração de alta tecnologia da empresa.Voltagem mosfet, desenvolvido para satisfazer os requisitos de alta eficiência e alta densidade de retificadores de telecomunicações, inversores solares, servidores, estações de trabalho, carregamento de veículos elétricos, acionamentos de motores e aplicações de energia industrial.
A fonte de alimentação de servidor atual precisa da eficiência do Titanium, que aponta para mais de 98.5% de eficiência máxima nos estágios PFC e LLC. Projetos Active-Bridges e Bridgeless são soluções simples de implementar; no entanto, as perdas de comutação e condução, particularmente com carga leve, são sempre os principais problemas que os projetistas encontram. As tecnologias existentes limitadas por grandes campos e cargas de células dificilmente poderiam atender a essas necessidades.
Tecnologias SJ de última geração com carga reduzida, mas também robustez suficiente. Baixo Qrr e Trr para aplicações LLC e PSFB também são necessários durante situações transitórias e anormais, e o novo dispositivo é a resposta mais adequada para as necessidades acima.
Os dispositivos SMD de baixa ôhmica estão se tornando os novos padrões para aplicações solares, buscando fatores de forma reduzidos por meio do emprego de projetos mecânicos e térmicos 3D. O dispositivo oferece uma ampla granularidade Rdson e opções de pacote SMD, incluindo variantes DFN, TOLL e Top-cooling.
Para aplicações de baixo Fsw, incluindo como SSRs ou Active Bridges, os FETs devem atender às necessidades específicas de SOA para sustentar surtos e correntes de pico. O dispositivo fornece baixo coeficiente de temperatura de Rdson e robustez para tensões transitórias e sobrecargas de corrente.
O primeiro produto lançado - AOK050V60A7, é um dispositivo 600V 50mOhm baixo ôhmico no pacote TO-247 padrão da indústria, adaptado para os atuais estágios AC/DC, DC-DC e inversores solares de alta potência. Como o regulamento EU ERP Lot9 aumenta a eficiência de PSUs individuais para o nível de titânio, esta família oferece uma excelente solução para PFCs únicos, intercalados, dual boost, totem-pole e Vienna e outras topologias de comutação rígida. A capacitância otimizada do produto fornecerá aos clientes desempenhos de comutação excepcionais, com comportamentos de ligar/desligar rápidos, evitando os riscos de autoligação ou disparo. O dispositivo de 50mOhm será seguido pelos próximos dispositivos de 32mOhm, 40mOhm, 65mOhm e 105mOhm da empresa.
“A nova estrutura de balanceamento de carga permite reduzir ainda mais a área ativa em até 50%, em comparação com o aMOS5, nossa solução existente. Em geral, o aMOS7 é uma solução SJ de alta tensão líder do setor, projetada para atender aos mercados voltados à eficiência e aos custos”, disse Richard Zhang, diretor sênior de linha de produtos e negócios globais de fornecimento de energia da AOS.
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