Módulo IGBT Semikron SKiM304GD12T4D: Desempenho de energia avançado O módulo IGBT Semikron SKiM304GD12T4D apresenta recursos de ponta feitos sob medida para aplicações de energia avançadas. Aproveitando a tecnologia Trenchgate, este módulo oferece desempenho excepcional em vários cenários. Seu Vce(sat) com coeficiente de temperatura positivo garante operação estável em flutuações de temperatura, enquanto sua notável capacidade de curto-circuito aumenta sua versatilidade. Apresenta aplicações típicas [...]
O Toshiba MG200H1AL2 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) robusto projetado para aplicações de comutação de alta potência. Aqui está uma visão geral concisa de seus principais recursos e especificações: Descrição: O MG200H1AL2 é um módulo transistor com corrente nominal de 200 Amps e tensão nominal de 450 Volts. Ele pesa 210 gramas (aproximadamente 0.46 libras), [...]
O módulo IGBT Starpower GD200HFL120C2S é um dispositivo semicondutor de potência de alto desempenho projetado para comutação e controle de energia eficientes. Aqui estão os principais detalhes e recursos do módulo IGBT GD200HFL120C2S: Descrição geral: O módulo de potência IGBT STARPOWER foi projetado para fornecer perdas de condução ultrabaixas e alta robustez contra curto-circuito. É adaptado para aplicações como [...]
O MDS MDS200A1600V é um módulo IGBT conhecido por suas características e especificações que o tornam adequado para diversas aplicações. Aqui estão os detalhes: Características: Classificações e características máximas: O módulo IGBT MDS200A1600V foi projetado para fornecer comutação de energia eficiente e recursos de controle. É caracterizado por sua capacidade de manipulação de alta tensão e corrente, tornando [...]
O Infineon DDB6U205N16L é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) com as seguintes classificações e características máximas: Observe que esses valores representam as classificações máximas absolutas para o módulo IGBT DDB6U205N16L e são fornecidos para considerações operacionais e de segurança adequadas em várias aplicações. .
O Infineon FF400R07KE4 é um módulo IGBT duplo de 650 V, 400 A fabricado pela Infineon Technologies. Este módulo possui tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4 junto com um diodo controlado por emissor. Ele foi projetado para aplicações de alta potência que exigem maior capacidade de tensão de bloqueio, alta capacidade de curto-circuito e desempenho elétrico ideal. O módulo está alojado em um padrão [...]
O Infineon FF400R06KE3 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de comutação de alta potência. Ele vem com classificações e características máximas específicas que o tornam adequado para diversas aplicações industriais e de controle de energia. Aqui estão as principais especificações e recursos do módulo IGBT FF400R06KE3: Avaliações e características máximas: O módulo IGBT FF400R06KE3…
o Infineon #FZ400R17KE3 é essencial para o uso adequado e para evitar danos ou falhas. Vamos passar por cada uma das classificações máximas e características deste componente:
O Fuji 2MBI400VG-060 é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) projetado para aplicações de alta potência que exigem comutação de alta velocidade e recursos de acionamento de tensão. Abaixo estão os recursos, aplicações e classificações máximas deste módulo: Características: Aplicações: Classificações máximas (Tc=25°C, salvo especificação em contrário):