A série SLA36385A ocupa uma área de 5 x 9 mm e 9.5 mm de altura e, ainda assim, os componentes podem suportar até 230A. As indutâncias variam de 35 a 470nH. “O componente 35nH pode suportar mais de 200A, com aproximadamente 20% de roll off”, disse a empresa. A resistência pode ser tão baixa quanto 125μΩ e a frequência operacional tão alta [...]
O pacote, SSO10T, tem um vão de 10 μm em vez de uma almofada térmica na lateral da PCB, e cerca de 95% do calor sairá pela parte superior, segundo a empresa, normalmente para a caixa da ECU ou para uma placa fria. Espera-se que seja usado com um bloco de interface térmica para acomodar a tolerância entre PCB e [...]
• Permitir e acelerar avanços em pesquisa para futuras gerações de microeletrônica • Apoiar, construir e unir infraestruturas de microeletrônica da pesquisa à fabricação • Aumentar e sustentar a força de trabalho técnica para a pesquisa e desenvolvimento de microeletrônica até o ecossistema de manufatura • Criar um ecossistema vibrante de inovação em microeletrônica para acelerar o transição de pesquisa e desenvolvimento para os EUA [...]
Considerando projetos futuros de sistema em pacote que consumirão cerca de 1 kW, a Intel usou um processo CMOS finfet de 16 nm para criar um protótipo de conversor Buck de 52 fases que pode ser integrado a esses ICs, revelado na Conferência Internacional de Circuito de Estado Sólido em São Francisco. O ponto de carga CC-CC absorve 2 V e pode fornecer 200 A (624 A [...]
Chamada AONA66916, a resistência térmica da junção com as superfícies superior e inferior é de 0.5 e 0.55C/W, respectivamente. “O pacote DFN 5×6 com exposição superior compartilha a mesma área ocupada pelo pacote DFN 5×6 padrão da AOS, eliminando a necessidade de modificar os layouts de PCB existentes”, disse a empresa. A resistência de ligação é de 3.4 mΩ, a porta é classificada para ± 20 V e temperatura máxima de junção [...]
o Módulo IGBT Fuji 2MBI200VB-120, uma solução poderosa que apresenta: Ideal para diversas aplicações, incluindo: 2MBI200VB-120. Módulos IGBT. MÓDULO IGBT (série V). 1200V / 200A / 2 em um pacote
O SKM200GAL1200KL da Semikron é um módulo de potência IGBT de meia ponte de alta potência, criado especificamente para diversas aplicações, como acionamentos de motores industriais, sistemas de energia renovável e aplicações de tração. Incluído no pacote compacto SEMITRANS 2, este módulo possui dois transistores bipolares de porta isolada dispostos em uma topologia de meia ponte. Com design robusto, garante tensão máxima coletor-emissor de 1200V […]
O DF200AA160 é um módulo de diodo de potência meticulosamente projetado para fins de retificação trifásica de onda completa. Incorpora seis diodos interligados em uma configuração de ponte trifásica. Notavelmente, a base de montagem do módulo é eletricamente isolada dos elementos semicondutores, simplificando a montagem de um dissipador de calor. Este módulo versátil pode lidar com eficácia com uma corrente CC de saída de [...]
O MACMIC MMD200S160B é um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) com determinados recursos, aplicações e classificações máximas. Aqui está um detalhamento das informações fornecidas: Características: Aplicações: Classificações e características máximas (a 25°C, a menos que especificado):