O Toshiba Matsushita LTM10C210 é um modelo compatível com as seguintes especificações: Marca: Toshiba Matsushita Modelo: P/N LTM10C210 Modelo compatível 2 Tamanho diagonal: 10.4 polegadas Tipo de painel: a-Si TFT-LCD, LCM Resolução: 640 (RGB) × 480, VGA Formato de pixel: RGB Faixa verticalÁrea ativa: 211.2(L)×158.4(A) mmAbertura da moldura: 216.2(L)×163.4(A) mmContorno (mm): 265(L)×188.8(A)×12(P)Luminância: 400 cd/m²Visualização Ângulo: 60/60/50/50 (CR≥10) Esquerda/Direita/Cima/BaixoProfundidade de cor: 262KMassa: 650gRelação de contraste: 250:1(TM)Modo de trabalho: TN, normalmente branco, resposta transmissiva: 50/50…
Introdução: O MG15D6EM1 é um módulo de potência mosfet de ponte trifásica robusto e de alto desempenho projetado para diversas aplicações que requerem comutação de alta potência e controle de motor. Este módulo oferece uma solução versátil para sistemas industriais e elétricos exigentes. Neste guia abrangente, exploraremos os recursos, especificações e aplicações potenciais do módulo MG15D6EM1. Visão geral de [...]
Módulo IGBT Toshiba MIG200J6CMB1W O módulo IGBT Toshiba MIG200J6CMB1W é um dispositivo de comutação de alta potência que integra inversor e circuitos de controle em um único pacote. Possui baixa resistência térmica, VCE (sat) = 2.0 V (típ.), e é reconhecido pela UL (arquivo nº E87989). O módulo pesa 385 g (tip.) E tem classificações máximas de: O MIG200J6CMB1W…
Aqui estão as classificações e características máximas do módulo de potência MG400Q1US41: Classificações máximas absolutas (em Tc=25°C, salvo especificação em contrário): Essas classificações indicam os valores máximos que não devem ser excedidos para garantir a operação adequada e a confiabilidade do módulo de potência. É importante seguir estas especificações para evitar danos ao módulo.
vendas Email: sales@shunlongwei.com O MG15N6ES42 é um dispositivo semicondutor de potência comumente usado em aplicações de comutação de alta potência e aplicações de controle de motor. Ele foi projetado com vários recursos notáveis:
Vendas Email: sales@shunlongwei.com Apresentando o Toshiba MG75Q2YS42, um módulo de transistor bipolar de porta isolada (IGBT) de canal N de alto desempenho projetado especificamente para aplicações de comutação de alta potência e controle de motor. Com uma corrente máxima de coletor de 75A e tensão coletor-emissor de 1200V, o MG75Q2YS42 oferece recursos robustos de gerenciamento de energia para aplicações industriais exigentes. Uma característica notável deste módulo [...]
vendas Email: sales@shunlongwei.com Marca do painel: SamsungModelo do painel: LT121S1-153Tipo de painel: painel TFT-LCD a-SiTamanho do painel: 12.1 polegadasResolução: 800 (RGB) × 600, SVGAModo de exibição: TN, normalmente branco, transmissivoÁrea ativa: 246 × 184.5 mmContorno: 275 × 200 mmSuperfície : Antirreflexo (névoa 25%), Revestimento duro (3H)Brilho: 70 cd/m² (Típico)Relação de contraste: 120:1 (Mínimo)Cores da tela: 262K (6 bits)Tempo de resposta: 20/30 (Típico)( Tr/Td)Ângulo de visão: 45/45/10/30 (Mínimo)(CR≥10) (Esquerda/Direita/Cima/Baixo)Frequência: 60HzTipo de lâmpada: 1 peça de sinal CCFL…
Vendas Email: sales@shunlongwei.com O MIG20J952H é um módulo transistor de potência fabricado pela Toshiba. Aqui está uma descrição do módulo junto com seus recursos e classificações máximas: Descrição: Modelo: MIG20J952HTipo: Módulo de transistor de potência Classificação de corrente: 20 Amptensão Classificação: 600 VoltCaracterísticas: Módulo GTR integrado: O módulo integra um tiristor de desligamento de porta (GTR) em seu design.Integração de Circuitos: […]
# MG100J2YS1 Toshiba MG100J2YS1 Novo 2IGBT: 100A600V, imagens MG100J2YS1, preço MG100J2YS1, fornecedor # MG100J2YS1 ——————————————————————- Email: sales@shunlongwei.com https://www.slw-ele.com/mg100j2ys1.html ——————————————————————- Key Specifications: Collector-Emitter voltage Vces: 600V Gate-Emitter voltage VGES: ±20V Collector current IC: 100A Collector current Icp: 200A Collector power dissipation Pc: 450W Collector-Emitter voltage VCES: 2500V Operating junction temperature Tj: +150°C Storage temperature Tstg: -40 to +125°C […]