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Apresentando o Toshiba MG75Q2YS42, um canal N bipolar de porta isolada de alto desempenho Transistor (IGBT) módulo projetado especificamente para aplicações de comutação de alta potência e controle de motores.
Com uma corrente máxima de coletor de 75A e coletor-emissor Voltagem de 1200V, o MG75Q2YS42 fornece recursos robustos de manuseio de energia para aplicações industriais exigentes.
Um recurso notável deste módulo é a inclusão de um diodo de recuperação rápida ultrasuave (USFD), que ajuda a reduzir o ruído e melhora o desempenho geral. Além disso, o módulo incorpora um dissipador de calor isolado (terminal à base), garantindo segurança durante a operação.
As CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS para o MG75Q2YS42 incluem uma dissipação de energia do coletor de 560 W e uma ampla faixa de temperatura de junção de -40°C a 150°C, permitindo a operação em ambientes desafiadores.
Este módulo oferece um isolamento Voltagem de 2500 VRMS (AC 1 minuto) e possui terminais de torque de parafuso de 3/3 Nm, facilitando conexões seguras e confiáveis.
Em resumo, o Toshiba MG75Q2YS42 é um comutador de alta potência e controle de motor IGBT módulo que combina desempenho de alta velocidade com baixa tensão de saturação. Seu diodo de recuperação rápida ultramacio integrado reduz o ruído e o dissipador de calor isolado aumenta a segurança. Com suas especificações impressionantes e design robusto, é uma excelente escolha para várias aplicações de controle de motores que exigem alta potência e confiabilidade.