#БСМ100ГБ120ДН2 Infineon BSM100GB120DN2 Новый IGBT: 100А1200В;IGBT Модули 1200V 100A DUAL, картинки BSM100GB120DN2, цена BSM100GB120DN2, # BSM100GB120DN2 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
БСМ100ГБ120ДН2
Производитель: Infineon
Категория продукта: IGBT Модули
RoHS: ДА
Бренд: Infineon Technologies
Product: Кремниевые модули IGBT
Конфигурация: Половина моста
Коллектор-эмиттер напряжение VCEO Макс: 1200 V
Насыщение коллектор-эмиттер напряжение: 2.5 V
Постоянный ток коллектора при 25 C: 150
Ток утечки затвор-эмиттер: 200 нА
Pd - Рассеиваемая мощность: 800 W
Пакет / Дело: Половина моста2
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 С
Вид монтажа: Винт
Количество в упаковке: 10
IGBT: 100A, 1200 В; модули IGBT, 1200 В, 100 А, ДВОЙНОЙ
Shunlongwei проверил все BSM100GB120DN2 перед отправкой, все BSM100GB120DN2 с 6-месячной гарантией.