#BSM100GB120DN2 Infineon BSM100GB120DN2 Mới IGBT: 100A1200V;IGBT Mô-đun 1200V 100A DUAL, hình ảnh BSM100GB120DN2, giá BSM100GB120DN2, nhà cung cấp # BSM100GB120DN2
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM100GB120DN2
Nhà chế tạo: Infineon
Danh Mục Sản Phẩm: IGBT Modules
RoHS: CÓ
Nhãn hiệu: Công nghệ Infineon
Sản phẩm: Mô-đun silicon IGBT
Cấu hình: Cầu nửa chừng
Bộ sưu tập- Bộ phát Vôn VCEO Tối đa: 1200 V
Độ bão hòa bộ thu-phát Vôn: 2.5 V
Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 C: Các 150
Cổng rò rỉ hiện tại: 200nA
Pd - Tiêu tán công suất: 800 W
Gói / Vỏ: Nửa Cầu2
Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150c
Điện áp phát cổng tối đa: 20 V
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C
Gắn Kiểu: Đinh ốc
Số lượng nhà máy sản xuất: 10
IGBT: 100A1200V; Mô-đun IGBT 1200V 100A KÉP
Shunlongwei đã kiểm tra mọi BSM100GB120DN2 trước khi xuất xưởng, tất cả BSM100GB120DN2 với bảo hành 6 tháng.