Infineon BSM100GB120DN2 em estoque

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BSM100GB120DN2

Fabricante: Infineon

Categoria de Produto: IGBT Módulos

RoHS: SIM

marca: Infineon Technologies

Produto: Módulos de silicone IGBT

Configuração: Meia Ponte

Coletor- Emissor Voltagem VEO Max: 1200 V

Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.5 V

Corrente de coletor contínua a 25 C: 150 A

Corrente de vazamento do emissor-porta: 200 nA

Pd - Dissipação de energia: 800 W

Pacote / Caso: Meia Ponte 2

Temperatura operacional máxima: + 150ºC

Tensão máxima do emissor da porta: 20 V

Temperatura operacional mínima: - 40 C

Estilo de montagem: Parafuso

Quantidade do pacote de fábrica: 10

IGBT: 100A1200V; Módulos IGBT 1200V 100A DUAL

Shunlongwei inspecionado cada BSM100GB120DN2 antes do navio, todos BSM100GB120DN2 com 6 meses de garantia.