#БСМ150ГБ120ДН2 Инфинеон BSM150GB120DN2 Новый 2IGBT: 150А1200В;IGBT Модули 1200V 150A DUAL, картинки BSM150GB120DN2, цена BSM150GB120DN2, # BSM150GB120DN2 поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
БСМ150ГБ120ДН2
Производитель: Infineon
Категория продукта: IGBT Модули
RoHS: ДА
Бренд: Infineon Technologies
Product: Кремниевые модули IGBT
Конфигурация: Половина моста
Коллектор-эмиттер напряжение VCEO Макс: 1200 V
Насыщение коллектор-эмиттер напряжение: 2.5 V
Постоянный ток коллектора при 25 C: 210
Ток утечки затвор-эмиттер: 320 нА
Pd - Рассеиваемая мощность: 1.25 кВт
Пакет / Дело: Половина моста2
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Максимальный излучатель затвора напряжение: 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 С
Вид монтажа: Винт
Количество в упаковке: 10
2IGBT: 150A, 1200 В; модули IGBT, 1200 В, 150 А, ДВОЙНОЙ
Shunlongwei проверил все BSM150GB120DN2 перед отправкой, все BSM150GB120DN2 с 6-месячной гарантией.