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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM150GB120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: IGBT Módulos
RoHS: SIM
marca: Infineon Technologies
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Meia Ponte
Coletor- Emissor Voltagem VEO Max: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.5 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 210 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: 320 nA
Pd - Dissipação de energia: 1.25 kW
Pacote / Caso: Meia Ponte 2
Temperatura operacional máxima: + 150ºC
Emissor máximo de porta Voltagem: 20 V
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Estilo de montagem: Parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 10
2IGBT: 150A1200V; Módulos IGBT 1200V 150A DUAL
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