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E-mail: sales@shunlongwei.com
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BSM150GB120DN2
Produttore: Infineon
Categoria Del Prodotto: IGBT moduli
RoHS: SI
Marca: Infineon Technologies
Prodotti: Moduli IGBT in silicone
Configurazione: Mezzo ponte
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 2.5 V
Corrente continua del collettore a 25 C: Il 210
Corrente di dispersione gate-emettitore: 320 n.a
Pd - Dissipazione di potenza: 1.25kW
Pacchetto / caso: Mezzo ponte 2
Temperatura operativa massima: + 150 Do
Emettitore Gate massimo voltaggio: 20 V
Temperatura operativa minima: - 40 C
Stile di montaggio: Vite
Quantità confezione di fabbrica: 10
2IGBT: 150A1200V; Moduli IGBT 1200V 150A DUAL
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