IGBT-модуль Infineon FF800R17KE3

Infineon FF800R17KE3 — это IGBT (Биполярный транзистор с изолированным затвором) модуль. Ниже приведены подробности об этом модуле:

  • Модель: ФФ800Р17КЭ3
  • Функции: Модули IGBT, такие как FF800R17KE3, являются важными компонентами силовой электроники. Они используются в качестве переключателей мощности и усилителей в различных приложениях, требующих возможности обработки высокого напряжения и сильного тока.
  • Номинальные значения напряжения и тока:
    • Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 1700 В
    • Напряжение затвор-эмиттер (VGES): ±20 В (типовое значение)
    • Ток коллектора (Ic): 800 А (постоянный)
    • Ток коллектора (Icp): 1600 А (импульсный, кратковременный)
    • Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1700 В (для переходных процессов)
  • Рассеяние мощности:
    • Рассеяние мощности коллектора (ПК): Не указано
  • Рабочая температура:
    • Рабочая температура перехода (Tj): До +150°C
  • Применение: Модуль FF800R17KE3 предназначен для использования в различных промышленных приложениях, включая приводы двигателей, преобразователи мощности и другие системы, требующие возможности обработки высокого напряжения и тока.
  • Особенности: Модули IGBT обычно имеют такие функции, как:
    • Высокая скорость переключения
    • Возможности работы с высоким напряжением и током
    • Низкое напряжение насыщения
    • Защита от перегрузки по току и перегрева
    • Интегрированная схема драйвера затвора