Infineon FF800R17KE3 è un IGBT (Transistor bipolare a gate isolato) modulo. Di seguito sono riportati i dettagli su questo modulo:
- Modello: FF800R17KE3
- Funzione: I moduli IGBT come FF800R17KE3 sono componenti essenziali nell'elettronica di potenza. Sono utilizzati come interruttori di potenza e amplificatori in varie applicazioni che richiedono capacità di gestione di alta tensione e corrente elevata.
- Valori nominali di tensione e corrente:
- Tensione collettore-emettitore (Vces): 1700V
- Tensione gate-emettitore (VGES): ±20 V (valore tipico)
- Corrente del collettore (Ic): 800 A (continua)
- Corrente di collettore (Icp): 1600 A (impulso, di breve durata)
- Tensione collettore-emettitore (VCES): 1700 V (per transitori)
- Dissipazione di potenza:
- Dissipazione di potenza del collettore (Pc): Non specificata
- Temperatura di esercizio:
- Temperatura di funzionamento della giunzione (Tj): Fino a +150°C
- Utilizzo: Il modulo FF800R17KE3 è progettato per l'uso in varie applicazioni industriali, tra cui azionamenti di motori, convertitori di potenza e altri sistemi che richiedono capacità di gestione di corrente e alta tensione.
- Caratteristiche: I moduli IGBT in genere hanno caratteristiche quali:
- Elevate velocità di commutazione
- Capacità di gestione dell'alta tensione e della corrente
- Bassa tensione di saturazione
- Protezione da sovracorrente e sovratemperatura
- Circuito gate driver integrato