Der Infineon FF800R17KE3 ist ein IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) Modulen. Nachfolgend finden Sie die Details zu diesem Modul:
- Modell: FF800R17KE3
- Funktion: IGBT-Module wie das FF800R17KE3 sind wesentliche Komponenten in der Leistungselektronik. Sie werden als Leistungsschalter und Verstärker in verschiedenen Anwendungen eingesetzt, die Hochspannungs- und Hochstromfähigkeiten erfordern.
- Spannungs- und Stromwerte:
- Kollektor-Emitter-Spannung (Vces): 1700 V
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20 V (typischer Wert)
- Kollektorstrom (Ic): 800 A (kontinuierlich)
- Kollektorstrom (Icp): 1600 A (Impuls, kurzzeitig)
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 1700 V (für Transienten)
- Energieverschwendung:
- Kollektorverlustleistung (PC): Nicht angegeben
- BETRIEBSTEMPERATUR:
- Betriebssperrschichttemperatur (Tj): Bis zu +150 °C
- Anwendung: Das Modul FF800R17KE3 ist für den Einsatz in verschiedenen Industrieanwendungen konzipiert, darunter Motorantriebe, Leistungswandler und andere Systeme, die hohe Spannungs- und Stromverarbeitungsfähigkeiten erfordern.
- Merkmale: IGBT-Module verfügen typischerweise über Funktionen wie:
- Hohe Schaltgeschwindigkeiten
- Hochspannungs- und Stromverarbeitungsfähigkeiten
- Niedrige Sättigungsspannung
- Überstrom- und Übertemperaturschutz
- Integrierte Gate-Treiberschaltung