Intel 640W18BE ในสต็อก

#640W18BE Intel 640W18BE New Flash, 4MX16, 60ns, PBGA56, 9 X 7.70 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-56, รูปภาพ 640W18BE, ราคา 640W18BE, #640W18BE ผู้ผลิต
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/640w18be.html

-----------------------

หมายเลขผู้ผลิต: PH28F640W18BE60
รหัส Pbfree: ใช่
รหัสวงจรชีวิตส่วนหนึ่ง: ใช้งานอยู่
Ihs ผู้ผลิต: MICRON เทคโนโลยี INC
รหัสแพ็คเกจชิ้นส่วน: BGA
คำอธิบายแพ็คเกจ: 9 X 7.70 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-56
จำนวนพิน: 56
รหัส ECCN: 3A991.B.1.A
รหัส HTS: 8542.32.00.51
ผู้ผลิต: Micron Technology Inc
อันดับความเสี่ยง: 5.76
เข้าถึงเวลาสูงสุด: 60 ns
คุณสมบัติเพิ่มเติม: การทำงานของโหมดถ่ายภาพต่อเนื่องแบบซิงโครนัสก็เป็นไปได้เช่นกัน
บล็อกการบูต: BOTTOM
JESD-30 รหัส: R-PBGA-B56
รหัส JESD-609: e1
ความยาว: 9 mm
ความหนาแน่นของหน่วยความจำ: 67108864 บิต
หน่วยความจำ IC ประเภท: FLASH
ความกว้างของหน่วยความจำ: 16
จำนวนฟังก์ชัน: 1
จำนวนขั้ว: 56
จำนวนคำ: 4194304 คำ
จำนวนคำรหัส: 4000000
โหมดการทำงาน: ASYNCHRONOUS
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: 85 ° C
อุณหภูมิในการทำงาน - ต่ำสุด: -40 ° C
องค์กร: 4MX16
วัสดุของตัวเครื่องบรรจุภัณฑ์: พลาสติก / EPOXY
รหัสแพ็คเกจ: VFBGA
รูปร่างแพ็คเกจ: RECTANGULAR
รูปแบบแพ็คเกจ: GRID ARRAY, โปรไฟล์ที่บางมาก, FINE PITCH
ขนาน / อนุกรม: PARALLEL
อุณหภูมิ Reflow สูงสุด (Cel): 260
การเขียนโปรแกรม แรงดันไฟฟ้า: 1.8 V
สถานะการรับรอง: ไม่ผ่านการรับรอง
ความสูง - สูงสุด: 1 มม
บริการจัดหา แรงดันไฟฟ้า- สูงสุด (Vsup): 1.95 V.
การจ่ายแรงดัน - ต่ำสุด (Vsup): 1.7 V
การจ่ายแรงดัน - Nom (Vsup): 1.8 V
Surface Mount: ใช่
เทคโนโลยี: CMOS
เกรดอุณหภูมิ: อุตสาหกรรม
เสร็จสิ้นเทอร์มินัล: TIN SILVER COPPER
แบบฟอร์มเทอร์มินัล: BALL
Terminal Pitch: 0.75 มม
ตำแหน่งเทอร์มินัล: BOTTOM
เวลา
แฟลช, 4MX16, 60ns, PBGA56, 9 X 7.70 มม., ความสูง 1 มม., ไร้สารตะกั่ว, VFBGA-56