#640W18BE Intel 640W18BE New Flash, 4MX16, 60ns, PBGA56, 9 X 7.70 MM, 1 MM HEIGHT, KHÔNG CHÌ, VFBGA-56, hình ảnh 640W18BE, giá 640W18BE, #640W18BE nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/640w18be.html
-----------------------
Mã sản phẩm của nhà sản xuất: PH28F640W18BE60
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất IHS: MICRON CÔNG NGHỆ INC
Mã phần gói: BGA
Mô tả gói hàng: 9 X 7.70 MM, CAO 1 MM, KHÔNG CHÌ, VFBGA-56
Số lượng pin: 56
Mã ECCN: 3A991.B.1.A
Mã HTS: 8542.32.00.51
Nhà sản xuất: Micron Technology Inc
Xếp hạng rủi ro: 5.76
Thời gian truy cập tối đa: 60 ns
Tính năng bổ sung: CÓ THỂ HOẠT ĐỘNG CHẾ ĐỘ BURST ĐỒNG BỘ
Khối khởi động: BOTTOM
Mã JESD-30: R-PBGA-B56
Mã JESD-609: e1
Chiều dài: 9 mm
Mật độ bộ nhớ: 67108864 bit
Bộ nhớ IC Loại: FLASH
Chiều rộng bộ nhớ: 16
Số chức năng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 56
Số từ: 4194304 từ
Mã số từ: 4000000
Chế độ hoạt động: ASYNCHRONOUS
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 85 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -40 ° C
Tổ chức: 4MX16
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: VFBGA
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: GRID ARRAY, HỒ SƠ RẤT MỎNG, TRANG ĐIỂM MỸ THUẬT
Song song / Nối tiếp: PARALLEL
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Lập trình Vôn: 1.8 V
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Chiều cao yên xe-Tối đa: 1 mm
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 1.95 V
Điện áp cung cấp-Min (Vsup): 1.7 V
Điện áp cung cấp-Nom (Vsup): 1.8 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: CÔNG NGHIỆP
Kết thúc đầu cuối: TÍN BẠC ĐỒNG
Dạng đầu cuối: BALL
Cao độ đầu cuối: 0.75 mm
Vị trí đầu cuối: BOTTOM
Thời gian
Flash, 4MX16, 60ns, PBGA56, 9 X 7.70 MM, CHIỀU CAO 1 MM, KHÔNG CHÌ, VFBGA-56
Mã Pbfree: Có
Mã vòng đời một phần: Hoạt động
Nhà sản xuất IHS: MICRON CÔNG NGHỆ INC
Mã phần gói: BGA
Mô tả gói hàng: 9 X 7.70 MM, CAO 1 MM, KHÔNG CHÌ, VFBGA-56
Số lượng pin: 56
Mã ECCN: 3A991.B.1.A
Mã HTS: 8542.32.00.51
Nhà sản xuất: Micron Technology Inc
Xếp hạng rủi ro: 5.76
Thời gian truy cập tối đa: 60 ns
Tính năng bổ sung: CÓ THỂ HOẠT ĐỘNG CHẾ ĐỘ BURST ĐỒNG BỘ
Khối khởi động: BOTTOM
Mã JESD-30: R-PBGA-B56
Mã JESD-609: e1
Chiều dài: 9 mm
Mật độ bộ nhớ: 67108864 bit
Bộ nhớ IC Loại: FLASH
Chiều rộng bộ nhớ: 16
Số chức năng: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 56
Số từ: 4194304 từ
Mã số từ: 4000000
Chế độ hoạt động: ASYNCHRONOUS
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 85 ° C
Nhiệt độ hoạt động-Min: -40 ° C
Tổ chức: 4MX16
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Mã gói: VFBGA
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: GRID ARRAY, HỒ SƠ RẤT MỎNG, TRANG ĐIỂM MỸ THUẬT
Song song / Nối tiếp: PARALLEL
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Lập trình Vôn: 1.8 V
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Chiều cao yên xe-Tối đa: 1 mm
Cung cấp Vôn-Max (Vsup): 1.95 V
Điện áp cung cấp-Min (Vsup): 1.7 V
Điện áp cung cấp-Nom (Vsup): 1.8 V
Gắn kết bề mặt: CÓ
Công nghệ: CMOS
Nhiệt độ lớp: CÔNG NGHIỆP
Kết thúc đầu cuối: TÍN BẠC ĐỒNG
Dạng đầu cuối: BALL
Cao độ đầu cuối: 0.75 mm
Vị trí đầu cuối: BOTTOM
Thời gian
Flash, 4MX16, 60ns, PBGA56, 9 X 7.70 MM, CHIỀU CAO 1 MM, KHÔNG CHÌ, VFBGA-56