أوراق البيانات: SS8550 صور المنتج: TO-92-3 (الجسم القياسي)، TO-226_straightlead PCN التصميم/المواصفات: إطار الرصاص النحاسي 12/أكتوبر/2007 الحزمة القياسية: 2,000 الفئة: منفصلة أشباه الموصلات العائلة: الترانزستورات (BJT) - SingleSeries: -Packaging: Tape & Box (TB)الترانزستور النوع: PNPCurrent - جامع (IC) (الحد الأقصى): 1.5 AVoltage - تقسيم باعث المجمّع (الحد الأقصى): 25Vce Saturation (Max) @ Ib ، IC: 500mV @ 80mA، 800mAC Current - قطع المجمع (الحد الأقصى): - كسب تيار DC (hFE) (Min) @ IC، Vce: 120 @ 100mA ، 1VPower - الحد الأقصى: 1W التردد - الانتقال: 200MHz نوع التركيب: عبر HolePackage / Case: TO-226-3، TO-92-3 (TO-226AA) حزمة جهاز المورد: TO-92-3 أسماء أخرى : SS8550CTA-NDSS8550CTATB #SS8550CTA فيرتشايلد أشباه الموصلات SS8550CTA جديد PNP فوق المحور السيليكون الترانزستور، 2000-FNFLD، صور SS8550CTA، سعر SS8550CTA، المورد #SS8550CTA
-----------------------
البريد الإلكتروني: [البريد الإلكتروني محمي]
-----------------------
البريد الإلكتروني: [البريد الإلكتروني محمي]
-----------------------
Manufacturer Part Number: SS8550CTA
اسم العلامة التجارية: ON أشباه الموصلات
كود Pbfree: نشط
الشركة المصنعة Ihs: ON أشباه الموصلات
وصف العبوة: اسطواني ، O-PBCY-T3
كود حزمة الشركة المصنعة: 135AR
كود ECCN: EAR99
كود HTS: 8541.21.00.95
الشركة المصنعة: ON Semiconductor
ترتيب المخاطرة: 1.02
جامع Current-Max (IC): 1.5 أ
جامع - باعث الجهد االكهربى- الحد الأقصى: 25 فولت
التكوين: مفرد
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE): 120
JEDEC-95 كود: TO-92
JESD-30 كود: O-PBCY-T3
عدد العناصر: 1
عدد المحطات: 3
درجة حرارة التشغيل: 150 درجة مئوية
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
شكل العبوة: دائري
نمط العبوة: اسطواني
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): غير محدد
القطبية / نوع القناة: PNP
تبديد الطاقة - ماكس (عبس): 1 واط
حالة التأهيل: غير مؤهل
التصنيف الفرعي: Other الترانزستورs
جبل السطح: لا
شكل المحطة: من خلال حفرة
موقف المحطة: الأسفل
الوقت:
PNP فوق المحور السيليكون الترانزستور ، 2000-FNFLD
اسم العلامة التجارية: ON أشباه الموصلات
كود Pbfree: نشط
الشركة المصنعة Ihs: ON أشباه الموصلات
وصف العبوة: اسطواني ، O-PBCY-T3
كود حزمة الشركة المصنعة: 135AR
كود ECCN: EAR99
كود HTS: 8541.21.00.95
الشركة المصنعة: ON Semiconductor
ترتيب المخاطرة: 1.02
جامع Current-Max (IC): 1.5 أ
جامع - باعث الجهد االكهربى- الحد الأقصى: 25 فولت
التكوين: مفرد
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE): 120
JEDEC-95 كود: TO-92
JESD-30 كود: O-PBCY-T3
عدد العناصر: 1
عدد المحطات: 3
درجة حرارة التشغيل: 150 درجة مئوية
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
شكل العبوة: دائري
نمط العبوة: اسطواني
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): غير محدد
القطبية / نوع القناة: PNP
تبديد الطاقة - ماكس (عبس): 1 واط
حالة التأهيل: غير مؤهل
التصنيف الفرعي: Other الترانزستورs
جبل السطح: لا
شكل المحطة: من خلال حفرة
موقف المحطة: الأسفل
الوقت:
PNP فوق المحور السيليكون الترانزستور ، 2000-FNFLD