Datasheets: SS8550 Фотографии продуктов: TO-92-3 (StandardBody), TO-226_straightleadPCN Design / Specification: Copper Lead Frame 12 / Oct / 2007 Стандартная упаковка: 2,000 Категория: Дискретные Полупроводниковое ПродуктыСемейство: Транзисторы (БЮТ) - Одиночная серия: -Упаковка: Лента и коробка (ТБ)Транзистор Тип: PNPCurrent - Коллектор (IC) (макс.): 1.5AVoltage – пробой коллектор-эмиттер (макс.): 25VVce насыщение (макс.) @ Ib, IC: 500 мВ при 80 мА, ток 800 мА — отсечка коллектора (макс.): — Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ IC, Vce: 120 @ 100 мА, 1 В Мощность - Макс.: 1 Вт Частота - Переход: 200 МГц Тип монтажа: Сквозное отверстие Упаковка / Корпус: ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Формованные выводы Комплект поставки устройства: ТО-92-3Другие названия :SS8550CTA-NDSS8550CTATB #SS8550CTA Fairchild Полупроводниковое SS8550CTA Новый эпитаксиальный кремний PNP Транзистор, 2000-FNFLD, фотографии SS8550CTA, цена SS8550CTA, поставщик # SS8550CTA
-----------------------
Электронная почта: [электронная почта защищена]
-----------------------
Электронная почта: [электронная почта защищена]
-----------------------
Номер детали производителя: SS8550CTA
Бренд: ON Полупроводниковое
Код без содержания свинца: Активный
Ihs Производитель: ON Полупроводниковое
Описание упаковки: ЦИЛИНДРИЧЕСКИЙ, O-PBCY-T3
Код упаковки производителя: 135AR
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8541.21.00.95
Производитель: ON Semiconductor
Рейтинг риска: 1.02
Коллектор Максимальный ток (IC): 1.5 А
Коллектор-эмиттер напряжение-Макс: 25 В
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE): 120
Код JEDEC-95: TO-92
Код JESD-30: O-PBCY-T3
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 3
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: КРУГЛЫЙ
Стиль упаковки: ЦИЛИНДРИЧЕСКИЙ
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Полярность / Тип канала: PNP
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 1 Вт
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: Другое Транзисторs
Поверхностное крепление: НЕТ
Форма клеммы: ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ
Конечное положение: НИЖНИЙ
Время
Эпитаксиальный кремниевый транзистор PNP, 2000-FNFLD
Бренд: ON Полупроводниковое
Код без содержания свинца: Активный
Ihs Производитель: ON Полупроводниковое
Описание упаковки: ЦИЛИНДРИЧЕСКИЙ, O-PBCY-T3
Код упаковки производителя: 135AR
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8541.21.00.95
Производитель: ON Semiconductor
Рейтинг риска: 1.02
Коллектор Максимальный ток (IC): 1.5 А
Коллектор-эмиттер напряжение-Макс: 25 В
Конфигурация: ОДИНОЧНЫЙ
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE): 120
Код JEDEC-95: TO-92
Код JESD-30: O-PBCY-T3
Количество элементов: 1
Количество терминалов: 3
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: КРУГЛЫЙ
Стиль упаковки: ЦИЛИНДРИЧЕСКИЙ
Пиковая температура оплавления (Cel): НЕ УКАЗАНО
Полярность / Тип канала: PNP
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 1 Вт
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: Другое Транзисторs
Поверхностное крепление: НЕТ
Форма клеммы: ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ
Конечное положение: НИЖНИЙ
Время
Эпитаксиальный кремниевый транзистор PNP, 2000-FNFLD