Datenblätter:SS8550Produktfotos:TO-92-3 (Standardkörper),TO-226_gerade LeitungPCN-Design/Spezifikation:Kupfer-Leiterrahmen 12Standardpaket:2007Kategorie:Diskret Halbleiter ProdukteFamilie:Transistoren (BJT) – SingleSeries:-Verpackung:Tape & Box (TB)Transistor Typ:PNPCurrent – Kollektor (IC) (Max):1.5Voltage – Kollektor-Emitter-Zusammenbruch (Max):25VVce Sättigung (Max) @ Ib, IC: 500 mV bei 80 mA, 800 mA Strom – Kollektorabschaltung (max.): DC-Stromverstärkung (hFE) (min.) bei IC, Vce:120 bei 100mA, 1VLeistung – Max:1WFrequenz – Übergang:200MHzMontagetyp:DurchgangslochGehäuse/Gehäuse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Geformte LeitungenLieferantengerätepaket:TO-92-3Andere Namen :SS8550CTA-NDSS8550CTATB #SS8550CTA Fairchild Halbleiter SS8550CTA Neues epitaktisches PNP-Silizium Transistor, 2000-FNFLD, SS8550CTA-Bilder, SS8550CTA-Preis, #SS8550CTA-Lieferant
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E-Mail: [E-Mail geschützt]
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Hersteller-Teilenummer: SS8550CTA
Markenname: ON Halbleiter
Pbfree-Code: Aktiv
Ihs Hersteller: ON Halbleiter
Packungsbeschreibung: ZYLINDRISCH, O-PBCY-T3
Hersteller-Paketcode: 135AR
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8541.21.00.95
Hersteller: ON Semiconductor
Risikorang: 1.02
Sammler Strom-Max (IC): 1.5 A
Sammler-Emitter Spannung-Max: 25 V.
Konfiguration: EINZELN
Gleichstromverstärkung-min (hFE): 120
JEDEC-95-Code: TO-92
JESD-30-Code: O-PBCY-T3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RUND
Verpackungsart: ZYLINDRISCHES
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität/Kanaltyp: PNP
Verlustleistung-Max (Abs): 1 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Sonstiges Transistors
Aufputz: NR
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Klemmenposition: UNTEN
Uhrzeit
PNP-Epitaxie-Siliziumtransistor, 2000-FNFLD
Markenname: ON Halbleiter
Pbfree-Code: Aktiv
Ihs Hersteller: ON Halbleiter
Packungsbeschreibung: ZYLINDRISCH, O-PBCY-T3
Hersteller-Paketcode: 135AR
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8541.21.00.95
Hersteller: ON Semiconductor
Risikorang: 1.02
Sammler Strom-Max (IC): 1.5 A
Sammler-Emitter Spannung-Max: 25 V.
Konfiguration: EINZELN
Gleichstromverstärkung-min (hFE): 120
JEDEC-95-Code: TO-92
JESD-30-Code: O-PBCY-T3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RUND
Verpackungsart: ZYLINDRISCHES
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): NICHT ANGEGEBEN
Polarität/Kanaltyp: PNP
Verlustleistung-Max (Abs): 1 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: Sonstiges Transistors
Aufputz: NR
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Klemmenposition: UNTEN
Uhrzeit
PNP-Epitaxie-Siliziumtransistor, 2000-FNFLD