데이터시트:SS8550제품 사진:TO-92-3(표준 본체),TO-226_straightleadPCN 디자인/사양:구리 리드 프레임 12/Oct/2007표준 패키지:2,000범주:이산형 반도체 제품군:트랜지스터(BJT) – 단일 시리즈:-포장:테이프 및 상자(TB)트랜지스터 유형 : PNPCurrent – 수집기 (IC) (최대):1.5A 전압 – 컬렉터 이미터 고장(최대):25VVce 포화(최대) @ Ib, IC:500mV @ 80mA, 800mA전류 – 콜렉터 컷오프(최대):-DC 전류 이득(hFE)(최소) @ IC, Vce:120 @ 100mA, 1V전력 – 최대:1W주파수 – 전환:200MHz장착 유형:구멍 통과패키지/케이스:TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 성형 리드공급 장치 패키지:TO-92-3다른 이름 :SS8550CTA-NDSS8550CTATB #SS8550CTA 페어차일드 반도체 SS8550CTA 새로운 PNP 에피택셜 실리콘 트랜지스터, 2000-FNFLD, SS8550CTA 사진, SS8550CTA 가격, #SS8550CTA 공급업체
-----------------------
이메일 : [이메일 보호]
-----------------------
이메일 : [이메일 보호]
-----------------------
제조업체 부품 번호: SS8550CTA
브랜드 이름: ON 반도체
Pbfree 코드 : 활성
IHS 제조업체 : ON 반도체
패키지 설명 : CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
제조업체 패키지 코드 : 135AR
ECCN 코드 : EAR99
HTS 코드 : 8541.21.00.95
제조업체 : ON Semiconductor
위험 순위 : 1.02
수집가 최대 전류 (IC) : 1.5A
수집기 방출기 전압-최대 : 25V
구성 : 단일
DC 전류 이득-최소 (hFE) : 120
JEDEC-95 코드 : TO-92
JESD-30 코드 : O-PBCY-T3
요소 수 : 1
터미널 수 : 3
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : ROUND
패키지 스타일 : CYLINDRICAL
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : PNP
최대 전력 손실 (Abs) : 1W
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : 기타 트랜지스터s
표면 실장 : NO
터미널 형태 : THROUGH-HOLE
터미널 위치 : BOTTOM
Time
PNP 에피택셜 실리콘 트랜지스터, 2000-FNFLD
브랜드 이름: ON 반도체
Pbfree 코드 : 활성
IHS 제조업체 : ON 반도체
패키지 설명 : CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
제조업체 패키지 코드 : 135AR
ECCN 코드 : EAR99
HTS 코드 : 8541.21.00.95
제조업체 : ON Semiconductor
위험 순위 : 1.02
수집가 최대 전류 (IC) : 1.5A
수집기 방출기 전압-최대 : 25V
구성 : 단일
DC 전류 이득-최소 (hFE) : 120
JEDEC-95 코드 : TO-92
JESD-30 코드 : O-PBCY-T3
요소 수 : 1
터미널 수 : 3
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : ROUND
패키지 스타일 : CYLINDRICAL
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : PNP
최대 전력 손실 (Abs) : 1W
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : 기타 트랜지스터s
표면 실장 : NO
터미널 형태 : THROUGH-HOLE
터미널 위치 : BOTTOM
Time
PNP 에피택셜 실리콘 트랜지스터, 2000-FNFLD