أوراق البيانات: MUN5114DW1 ، NSBA114YDxx صور المنتج: SOT-363 PKGPCN التصميم / المواصفات: الأسلاك النحاسية 08 / Jun / 2009 الحزمة القياسية: 3,000،XNUMX الفئة: منفصلة أشباه الموصلات عائلة: الترانزستورات (BJT) - صفائف ، منحازة مسبقًا السلسلة: -التعبئة: الشريط والبكرة (TR)الترانزستور النوع: 2 PNP - تيار متحيز مسبقًا (مزدوج) - جامع (IC) (الحد الأقصى): 100mAVoltage - تقسيم باعث المجمّع (الحد الأقصى): 50V المقاوم - القاعدة (R1) (أوم): 10k المقاوم - قاعدة الباعث (R2) (أوم): 47kDC Current Gain (hFE) (Min) @ IC، Vce: 80 @ 5mA، 10Vce Saturation (Max) @ Ib، IC: 250mV @ 300µA ، 10mAC Current - قطع المجمع (الحد الأقصى): 500nAFrequency - الانتقال: - الطاقة - الحد الأقصى: 250mW نوع التركيب: Surface Mount 6 / سوت -88 #MUN5114DW1T1G ON أشباه الموصلات MUN5114DW1T1G رقمي ثنائي القطب جديد PNP الترانزستور (BRT) ، SC-88 / SC70-6 / SOT-363 6 LEAD ، 3000-REEL ، MUN5114DW1T1G الصور ، سعر MUN5114DW1T1G ، # مورد MUN5114DW1T1G
-----------------------
البريد الإلكتروني: sales@shunlongwei.com
-----------------------
البريد الإلكتروني: sales@shunlongwei.com
-----------------------
رقم جزء الشركة المصنعة: MUN5114DW1T1G
اسم العلامة التجارية: ON أشباه الموصلات
كود Pbfree: نشط
الشركة المصنعة Ihs: ON أشباه الموصلات
كود حزمة الجزء: SC-88
وصف الحزمة: مخطط صغير ، R-PDSO-G6
دبوس عدد: 6
كود حزمة الشركة المصنعة: 419B-02
كود ECCN: EAR99
الشركة المصنعة: ON Semiconductor
ترتيب المخاطرة: 0.92
ميزة إضافية: أحجار مدمجة المقاوم النسبة 0.21
جامع التيار الأقصى (IC): 0.1 أ
جامع - باعث الجهد االكهربى- الحد الأقصى: 50 فولت
التكوين: منفصل ، 2 عناصر مدمجة المقاوم
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE): 80
JESD-30 كود: R-PDSO-G6
JESD-609 كود: e3
مستوى حساسية الرطوبة: 1
عدد العناصر: 2
عدد المحطات: 6
درجة حرارة التشغيل: 150 درجة مئوية
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: مخطط صغير
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): 260
القطبية / نوع القناة: PNP
تبديد الطاقة - ماكس (عبس): 0.15 واط
حالة التأهيل: غير مؤهل
الفئة الفرعية: BIP إشارة صغيرة للأغراض العامة
تركيب السطح: نعم
إنهاء المحطة: القصدير (Sn)
شكل المحطة: جناح النورس
موقف المحطة: DUAL
الوقت:
ترانزستور رقمي ثنائي القطب PNP (BRT) ، SC-88 / SC70-6 / SOT-363 6 LEAD ، 3000-REEL
اسم العلامة التجارية: ON أشباه الموصلات
كود Pbfree: نشط
الشركة المصنعة Ihs: ON أشباه الموصلات
كود حزمة الجزء: SC-88
وصف الحزمة: مخطط صغير ، R-PDSO-G6
دبوس عدد: 6
كود حزمة الشركة المصنعة: 419B-02
كود ECCN: EAR99
الشركة المصنعة: ON Semiconductor
ترتيب المخاطرة: 0.92
ميزة إضافية: أحجار مدمجة المقاوم النسبة 0.21
جامع التيار الأقصى (IC): 0.1 أ
جامع - باعث الجهد االكهربى- الحد الأقصى: 50 فولت
التكوين: منفصل ، 2 عناصر مدمجة المقاوم
الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE): 80
JESD-30 كود: R-PDSO-G6
JESD-609 كود: e3
مستوى حساسية الرطوبة: 1
عدد العناصر: 2
عدد المحطات: 6
درجة حرارة التشغيل: 150 درجة مئوية
مواد جسم العبوة: بلاستيك / إيبوكسي
شكل العبوة: مستطيل
نمط العبوة: مخطط صغير
درجة حرارة الانحدار القصوى (سل): 260
القطبية / نوع القناة: PNP
تبديد الطاقة - ماكس (عبس): 0.15 واط
حالة التأهيل: غير مؤهل
الفئة الفرعية: BIP إشارة صغيرة للأغراض العامة
تركيب السطح: نعم
إنهاء المحطة: القصدير (Sn)
شكل المحطة: جناح النورس
موقف المحطة: DUAL
الوقت:
ترانزستور رقمي ثنائي القطب PNP (BRT) ، SC-88 / SC70-6 / SOT-363 6 LEAD ، 3000-REEL