Datenblätter:MUN5114DW1, NSBA114YDxxProduktfotos:SOT-363 PKGPCN Design/Spezifikation:Kupferdraht 08Standardpaket:2009Kategorie:Diskret Halbleiter ProdukteFamilie:Transistoren (BJT) – Arrays, Pre-BiasedSerie:-Packaging:Tape & Reel (TR)Transistor Typ:2 PNP – vorgespannter (doppelter) Strom – Kollektor (IC) (Max): 100 mASpannung – Kollektor-Emitter-Zusammenbruch (Max): 50 V Widerstand – Basis (R1) (Ohm): 10 k Widerstand – Emitter-Basis (R2) (Ohm): 47 k DC Stromverstärkung (hFE) (Min) @ IC, Vce:80 bei 5 mA, 10VVce Sättigung (max.) bei Ib, IC:250 mV bei 300 µA, 10 mAStrom – Kollektorabschaltung (max.): 500 nAFFrequenz – Übergang:-Leistung – Max.:250 mWMontageart:OberflächenmontageGehäuse/Gehäuse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363Lieferantengerätepaket:SC-88/SC70- 6/SOT-363 #MUN5114DW1T1G ON Halbleiter MUN5114DW1T1G Neuer Dual-PNP-Bipolar-Digital Transistor (BRT), SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD, 3000-REEL, MUN5114DW1T1G Bilder, MUN5114DW1T1G Preis, #MUN5114DW1T1G Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Hersteller-Teilenummer: MUN5114DW1T1G
Markenname: ON Halbleiter
Pbfree-Code: Aktiv
Ihs Hersteller: ON Halbleiter
Teilepaketcode: SC-88
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Pin-Anzahl: 6
Hersteller-Paketcode: 419B-02
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: ON Semiconductor
Risikorang: 0.92
Zusätzliche Funktion: EINGEBAUTES BIAS Widerstand VERHÄLTNIS IST 0.21
Kollektorstrom-Max (IC): 0.1 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 50 V.
Konfiguration: SEPARATE, 2 ELEMENTE MIT EINGEBAUT Widerstand
Gleichstromverstärkung-min (hFE): 80
JESD-30-Code: R-PDSO-G6
JESD-609-Code: e3
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 2
Anzahl der Terminals: 6
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 260
Polarität/Kanaltyp: PNP
Verlustleistung-Max (Abs): 0.15 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: BIP Allzweck-Kleinsignal
Oberflächenmontage: JA
Terminal-Finish: Zinn (Sn)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
Dualer PNP-Bipolar-Digitaltransistor (BRT), SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD, 3000-REEL
Markenname: ON Halbleiter
Pbfree-Code: Aktiv
Ihs Hersteller: ON Halbleiter
Teilepaketcode: SC-88
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Pin-Anzahl: 6
Hersteller-Paketcode: 419B-02
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: ON Semiconductor
Risikorang: 0.92
Zusätzliche Funktion: EINGEBAUTES BIAS Widerstand VERHÄLTNIS IST 0.21
Kollektorstrom-Max (IC): 0.1 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 50 V.
Konfiguration: SEPARATE, 2 ELEMENTE MIT EINGEBAUT Widerstand
Gleichstromverstärkung-min (hFE): 80
JESD-30-Code: R-PDSO-G6
JESD-609-Code: e3
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 2
Anzahl der Terminals: 6
Betriebstemperatur-Max: 150 ° C.
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 260
Polarität/Kanaltyp: PNP
Verlustleistung-Max (Abs): 0.15 W.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Unterkategorie: BIP Allzweck-Kleinsignal
Oberflächenmontage: JA
Terminal-Finish: Zinn (Sn)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
Dualer PNP-Bipolar-Digitaltransistor (BRT), SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD, 3000-REEL