Schede tecniche: MUN5114DW1, NSBA114YDxx Foto prodotto: SOT-363 PKGPCN Design/Specifiche: Filo di rame 08/giugno/2009 Pacchetto standard: 3,000 Categoria: Discreto Semiconduttore Famiglia di prodotti:Transistor (BJT) – Array, Pre-BiasedSerie:-Packaging:Tape & Reel (TR)Transistor Tipo: 2 PNP – Pre-polarizzato (doppia) Corrente – Collettore (IC) (max): 100 mA Tensione – Guasto collettore emettitore (max): 50 V Resistenza – Base (R1) (Ohm): 10 k Resistenza – Base emettitore (R2) (Ohm): 47 k DC Guadagno di corrente (hFE) (Min) @ IC, Vce:80 @ 5mA, 10VVce Saturazione (max) @ Ib, IC:250mV @ 300µA, 10mACorrente – Interruzione collettore (max):500nAFrequenza – Transizione:-Alimentazione – Max:250mWTipo di montaggio:Montaggio superficiale Confezione/custodia:6-TSSOP, SC-88, SOT-363Confezione dispositivo fornitore:SC-88/SC70- 6/SOT-363 #MUN5114DW1T1G ON Semiconduttore MUN5114DW1T1G Nuovo Dual PNP Bipolare Digitale Transistor (BRT), SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD, 3000-REEL, immagini MUN5114DW1T1G, prezzo MUN5114DW1T1G, fornitore #MUN5114DW1T1G
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Codice produttore: MUN5114DW1T1G
Marchio: ON Semiconduttore
Codice Pbfree: Attivo
Ihs Produttore: ON Semiconduttore
Codice pacchetto parte: SC-88
Descrizione del pacchetto: PICCOLO CONTORNO, R-PDSO-G6
Numero pin: 6
Codice confezione produttore: 419B-02
Codice ECCN: EAR99
Produttore: ON Semiconductor
Grado di rischio: 0.92
Caratteristica aggiuntiva: BIAS INTEGRATO Resistore IL RAPPORTO È 0.21
Corrente massima del collettore (IC): 0.1 A.
Collettore-Emettitore voltaggio-Max: 50 V
Configurazione: SEPARATA, 2 ELEMENTI CON INCORPORATO Resistore
Guadagno min corrente CC (hFE): 80
Codice JESD-30: R-PDSO-G6
Codice JESD-609: e3
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Numero di elementi: 2
Numero di terminali: 6
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): 260
Polarità/Tipo di canale: PNP
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 0.15 W.
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: BIP General Purpose Small Signal
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: Stagno (Sn)
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: DUAL
Ora
Transistor digitale bipolare PNP doppio (BRT), SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD, 3000-REEL
Marchio: ON Semiconduttore
Codice Pbfree: Attivo
Ihs Produttore: ON Semiconduttore
Codice pacchetto parte: SC-88
Descrizione del pacchetto: PICCOLO CONTORNO, R-PDSO-G6
Numero pin: 6
Codice confezione produttore: 419B-02
Codice ECCN: EAR99
Produttore: ON Semiconductor
Grado di rischio: 0.92
Caratteristica aggiuntiva: BIAS INTEGRATO Resistore IL RAPPORTO È 0.21
Corrente massima del collettore (IC): 0.1 A.
Collettore-Emettitore voltaggio-Max: 50 V
Configurazione: SEPARATA, 2 ELEMENTI CON INCORPORATO Resistore
Guadagno min corrente CC (hFE): 80
Codice JESD-30: R-PDSO-G6
Codice JESD-609: e3
Livello di sensibilità all'umidità: 1
Numero di elementi: 2
Numero di terminali: 6
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): 260
Polarità/Tipo di canale: PNP
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 0.15 W.
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: BIP General Purpose Small Signal
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: Stagno (Sn)
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: DUAL
Ora
Transistor digitale bipolare PNP doppio (BRT), SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD, 3000-REEL