Техническое описание: MUN5114DW1, NSBA114YDxx Фотографии продукта: SOT-363 PKGPCN Конструкция/спецификация: Медный провод 08 июня 2009 г. Стандартная упаковка: 3,000 Категория: Дискретный Полупроводниковое ПродуктыСемейство: Транзисторы (БЮТ) - Массивы, с предварительным смещением Серия: -Упаковка: Лента и катушка (TR)Транзистор Тип: 2 PNP - ток с предварительным смещением (двойной) - коллектор (IC) (макс.): 100 мА, напряжение – коллектор-эмиттер, пробой (макс.): 50 В, резистор – база (R1) (Ом): 10 кОм, резистор – база эмиттера (R2), Ом: 47 кОм, коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) @ IC, Vce: 80 при 5 мА, 10VVce, насыщение (макс.) при Ib, IC: 250 мВ при 300 мкА, 10 мА. Ток — отсечка коллектора (макс.): 500 нА. Частота — переход: — мощность — макс.: 250 мВт. 6/СОТ-88 #МУН5114ДВ1Т1Г ON Полупроводниковое MUN5114DW1T1G Новый двойной биполярный цифровой PNP Транзистор (BRT), SC-88/SC70-6/SOT-363 6 ВЫВОДОВ, 3000-REEL, изображения MUN5114DW1T1G, цена MUN5114DW1T1G, #MUN5114DW1T1G поставщик
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Номер детали производителя: MUN5114DW1T1G
Бренд: ON Полупроводниковое
Код без содержания свинца: Активный
Ihs Производитель: ON Полупроводниковое
Код упаковки детали: SC-88
Описание пакета: МАЛЕНЬКИЙ ОБЗОР, R-PDSO-G6
Количество контактов: 6
Код упаковки производителя: 419B-02
Код ECCN: EAR99
Производитель: ON Semiconductor
Рейтинг риска: 0.92
Дополнительная функция: ВСТРОЕННОЕ СКОРОСТЬ резистор СООТНОШЕНИЕ 0.21
Максимальный ток коллектора (IC): 0.1 A
Коллектор-эмиттер напряжение-Макс: 50 В
Конфигурация: ОТДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ резистор
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE): 80
Код JESD-30: R-PDSO-G6.
Код JESD-609: e3.
Уровень чувствительности к влаге: 1
Количество элементов: 2
Количество терминалов: 6
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Полярность / Тип канала: PNP
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 0.15 Вт
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: Малый сигнал общего назначения BIP
Поверхностное крепление: ДА
Терминальная отделка: олово (Sn)
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
Двойной биполярный цифровой транзистор PNP (BRT), SC-88 / SC70-6 / SOT-363, 6 выводов, 3000-REEL
Бренд: ON Полупроводниковое
Код без содержания свинца: Активный
Ihs Производитель: ON Полупроводниковое
Код упаковки детали: SC-88
Описание пакета: МАЛЕНЬКИЙ ОБЗОР, R-PDSO-G6
Количество контактов: 6
Код упаковки производителя: 419B-02
Код ECCN: EAR99
Производитель: ON Semiconductor
Рейтинг риска: 0.92
Дополнительная функция: ВСТРОЕННОЕ СКОРОСТЬ резистор СООТНОШЕНИЕ 0.21
Максимальный ток коллектора (IC): 0.1 A
Коллектор-эмиттер напряжение-Макс: 50 В
Конфигурация: ОТДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ резистор
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE): 80
Код JESD-30: R-PDSO-G6.
Код JESD-609: e3.
Уровень чувствительности к влаге: 1
Количество элементов: 2
Количество терминалов: 6
Максимальная рабочая температура: 150 ° C
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: МАЛЕНЬКИЙ КОНТРОЛЬ
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Полярность / Тип канала: PNP
Рассеиваемая мощность - макс. (Абс.): 0.15 Вт
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Подкатегория: Малый сигнал общего назначения BIP
Поверхностное крепление: ДА
Терминальная отделка: олово (Sn)
Форма клеммы: GULL WING
Конечное положение: ДВОЙНОЙ
Время
Двойной биполярный цифровой транзистор PNP (BRT), SC-88 / SC70-6 / SOT-363, 6 выводов, 3000-REEL