ASFETs sind eine neue Generation von MOSFET optimiert für den Einsatz in bestimmten Design-Szenarien. Durch die Konzentration auf spezifische Parameter, die für eine Anwendung kritisch sind, manchmal auf Kosten anderer, die im gleichen Design weniger wichtig sind, können neue Leistungsniveaus erreicht werden.
Die ASFETs verwenden eine Kombination des neuesten Siliziums von Nexperia Technologie und Kupfer-Clip-Gehäusekonstruktion zur deutlichen Stärkung des sicheren Betriebsbereichs (SOA) und zur Minimierung der Leiterplattenfläche.
Zuvor Mosfets haben unter dem Spirito-Effekt gelitten, wodurch die SOA-Leistung aufgrund der thermischen Instabilität bei höheren Spannungen schnell abfällt. Die robuste, verbesserte SOA-Technologie von Nexperia eliminiert das „Spirito-Knie“ und erhöht die SOA um 166 % bei 50 V im Vergleich zu früheren D2PAK-Generationen.
Ein weiterer wichtiger Fortschritt ist die Aufnahme von 125 °C SOA-Eigenschaften in das Datenblatt. Dazu Mike Becker, Senior International Product Marketing Manager bei Nexperia: „SOA wird traditionell nur bei 25 °C spezifiziert, was bedeutet, dass Designer für den Betrieb in heißen Umgebungen eine Leistungsreduzierung vornehmen müssen. Unsere neuen Hot-Swap-ASFETs beinhalten eine 125 °C SOA-Spezifikation, wodurch diese zeitaufwändige Aufgabe entfällt und die hervorragende Leistung von Nexperia selbst bei erhöhten Temperaturen bestätigt wird.“
Die neuen Hot-Swap-ASFETs PSMN4R2-80YSE (80 V, 4.2 mΩ) und PSMN4R8-100YSE (100 V, 4.8 mΩ) sind im Power-SO8-kompatiblen LFPAK56E untergebracht.
Die interne Kupfer-Clip-Konstruktion des Gehäuses verbessert die thermische und elektrische Leistung und reduziert gleichzeitig die Stellfläche erheblich. Die neuen LFPAK56E-Produkte sind nur 5 mm x 6 mm x 1.1 mm groß und bieten im Vergleich zum D80PAK früherer Generationen eine Reduzierung des PCB-Footprints und der Gerätehöhe um 75 % bzw. 2 %. Die Geräte verfügen außerdem über eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C und erfüllen die IPC9592-Vorschriften für Telekommunikations- und Industrieanwendungen.
Becker fügt hinzu: „Ein weiterer Vorteil ist die verbesserte Stromverteilung in Hochleistungsanwendungen, die die parallele Verwendung mehrerer Hot-Swap-MOSFETs erfordern, was die Zuverlässigkeit verbessert und die Systemkosten senkt. Nexperia ist weithin als Marktführer für Hot-Swap-MOSFETs anerkannt. Mit diesen neuesten ASFETs haben wir die Messlatte erneut höher gelegt.“
Die ASFETs sind die neuesten Bausteine, die in Nexperias neuer 8-Zoll-Wafer-Produktionsanlage in Manchester, Großbritannien, mit Kapazitäten für Großaufträge hergestellt werden. Weitere Informationen, einschließlich Produktspezifikationen und Datenblätter, finden Sie unter https://www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/asfets-for-hotswap-and-soft-start