ASFETs são uma nova geração de mosfet otimizado para uso em cenários de design específicos. Ao focar em parâmetros específicos críticos para um aplicativo, às vezes às custas de outros que são menos importantes no mesmo design, novos níveis de desempenho podem ser alcançados.
Os ASFETs usam uma combinação do mais recente silício da Nexperia tecnologia e construção de pacote com clipe de cobre para fortalecer significativamente a Área Operacional Segura (SOA) e minimizar a área de PCB.
Anteriormente, mosfet sofreram o efeito Spirito, pelo qual o desempenho do SOA cai rapidamente devido à instabilidade térmica em tensões mais altas. A tecnologia SOA reforçada e aprimorada da Nexperia elimina o 'Spirito-joelho', aumentando a SOA em 166% a 50 V em comparação com as gerações anteriores no D2PAK.
Outro avanço importante é a inclusão de características de SOA de 125 ° C na folha de dados. Comentários Mike Becker, Gerente Sênior de Marketing de Produto Internacional da Nexperia: “O SOA é tradicionalmente especificado apenas a 25 ° C, o que significa que os designers devem reduzir para operação em ambientes quentes. Nossos novos ASFETs hot-swap incluem uma especificação SOA de 125 ° C, eliminando esta tarefa demorada e confirmando o excelente desempenho do Nexperia mesmo em temperaturas elevadas ”.
Os novos ASFETs de hot swap PSMN4R2-80YSE (80 V, 4.2 mΩ) e PSMN4R8-100YSE (100 V, 4.8 mΩ) estão incluídos no LFPAK8E compatível com Power-SO56.
A construção interna com clipe de cobre do pacote melhora o desempenho térmico e elétrico enquanto reduz substancialmente o tamanho da pegada. Os novos produtos LFPAK56E têm apenas 5 mm x 6 mm x 1.1 mm, oferecendo reduções de 80% e 75% para a pegada do PCB e altura do dispositivo, respectivamente, em comparação com o D2PAK das gerações anteriores. Os dispositivos também apresentam uma temperatura máxima de junção de 175 ° C, atendendo aos regulamentos IPC9592 para telecomunicações e aplicações industriais.
Becker acrescenta: “Um outro benefício é o compartilhamento de corrente aprimorado em aplicações de alta potência que exigem vários MOSFETs hot-swap para serem usados em paralelo, melhorando a confiabilidade e reduzindo o custo do sistema. A Nexperia é amplamente reconhecida como líder de mercado para MOSFETs hot-swap. Com estes ASFETs mais recentes, aumentamos novamente a fasquia. ”
Os ASFETs são os dispositivos mais recentes a serem fabricados na nova planta de produção de wafer de 8 polegadas da Nexperia em Manchester, Reino Unido, com capacidade pronta para pedidos de volume. Para obter mais informações, incluindo especificações do produto e fichas técnicas, visite https://www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/asfets-for-hotswap-and-soft-start