ASFETs הם זן חדש של MOSFET מותאם לשימוש בתרחישי עיצוב מסוימים. על ידי התמקדות בפרמטרים ספציפיים הקריטיים ליישום, לפעמים על חשבון אחרים שפחות חשובים באותו עיצוב, ניתן להשיג רמות ביצועים חדשות.
ה-ASFETs משתמשים בשילוב של הסיליקון העדכני ביותר של Nexperia טֶכנוֹלוֹגִיָה ובניית חבילת קליפס נחושת לחיזוק משמעותי של אזור ההפעלה הבטוח (SOA) ולמזעור שטח ה-PCB.
בעבר, מוספים סבלו מאפקט הספיריטו, לפיו ביצועי ה- SOA יורדים במהירות עקב חוסר יציבות תרמית במתח גבוה יותר. טכנולוגיית ה- SOA המחוספסת והמשופרת של Nexperia מבטלת את 'הברך הספיריטו', ומגדילה את ה- SOA ב -166 % ב -50 וולט בהשוואה לדורות קודמים ב- D2PAK.
התקדמות חשובה נוספת היא הכללת מאפייני SOA של 125 מעלות צלזיוס בגיליון הנתונים. הערות מייק בקר, מנהל שיווק מוצרים בינלאומי בכיר בנקספריה: "SOA מצוין באופן מסורתי רק בטמפרטורה של 25 מעלות צלזיוס, כלומר המעצבים צריכים להוריד מהפעולה בסביבות חמות. מכשירי ASFET החדשים להחלפה חמה שלנו כוללים מפרט SOA של 125 ° C, שמבטל את המשימה הגוזלת זמן זה ומאשר את הביצועים המעולים של Nexperia גם בטמפרטורות גבוהות ”.
ה- PSMN4R2-80YSE החדשים (80 V, 4.2 mΩ) ו- PSMN4R8-100YSE (100 V, 4.8 mΩ) ASFETs להחלפה חמה ארוזים ב- LFPAK8E תואם Power-SO56.
מבנה קליפ הנחושת הפנימי של החבילה משפר את הביצועים התרמיים והחשמליים תוך הפחתה משמעותית של גודל טביעת הרגל. מוצרי LFPAK56E החדשים הם רק 5 מ"מ על 6 מ"מ על 1.1 מ"מ, המציעים הפחתה של 80 % ו -75 % עבור טביעת הרגל והגובה של המכשיר בהתאמה, בהשוואה ל- D2PAK של הדורות הקודמים. המכשירים כוללים גם טמפרטורת צומת מרבית של 175 ° C, העומדת בתקנות IPC9592 עבור טלקום ויישומים תעשייתיים.
מוסיף בקר: "יתרון נוסף הוא שיפור השיתוף הנוכחי ביישומי הספק גבוה הדורש שימוש במספר MOSFET להחלפה חמה במקביל, שיפור האמינות והוזלת עלויות המערכת. Nexperia מוכרת באופן נרחב כמובילה בשוק מוצרי MOSFET להחלפה חמה. עם מכשירי ASFET האחרונים, הרמנו שוב את הרף ".
מכשירי ASFET הם המכשירים העדכניים ביותר שיוצרו במפעל 8 אינץ 'החדש של Nexperia במנצ'סטר, בריטניה, עם קיבולת מוכנה להזמנות נפח. למידע נוסף, כולל מפרט המוצר ודפי הנתונים, בקר https://www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/asfets-for-hotswap-and-soft-start