Diodes Incorporated hat vor kurzem ein Portfolio von Automobil Mosfets verpackt im platzsparenden, thermisch effizienten TOLL-Paket (PowerDI®1012-8). Die 175-V-bewerteten DMTH100H10M1STLWQ und DMTH7H10M2STLWQ sowie die 5-V-bewerteten DMTH80STLWQ-MOSFETs belegen 8001 % weniger PCB-Fläche als der TO20. Diese Geräte verfügen über ein Off-Board-Profil von nur 263 mm. Dies macht sie ideal für den Einsatz in hochzuverlässigen Leistungsanwendungen wie Energierückgewinnung, integrierte Starter-Generatoren und DC-DC-Wandler in batteriebetriebenen Fahrzeugen.
Das TOLL-Gehäuse verwendet Clip-Bonding, um einen niedrigen Gehäusewiderstand und eine reduzierte parasitäre Gehäuseinduktivität zu erreichen, wodurch DMTH8001STLWQ, DMTH10H1M7STLWQ und DMTH10H2M5STLWQ typische Durchlasswiderstände von 1.3 mΩ, 1.4 mΩ bzw. 1.68 mΩ bei einer Gate-Ansteuerung von 10 V erreichen. Darüber hinaus bietet die geringe parasitäre Gehäuseinduktivität Verbesserungen in Schaltung EMI-Leistung.
Mit einer um 50 % größeren Lötkontaktfläche als beim TO263 ermöglicht das TOLL-Gehäuse eine thermische Impedanz des Sperrschichtgehäuses von 0.65°C/W, sodass diese MOSFETs Ströme von bis zu 270A verarbeiten können. Ihre verzinnten trapezförmigen gerillten Leitungen erleichtern die automatisierte optische Inspektion (AOI). Diese MOSFETs sind nach AEC-Q101 qualifiziert, PPAP-fähig und werden in IATF 16949-zertifizierten Einrichtungen hergestellt.
Ab einer Stückzahl von 10,000 Stück ist die DMTH8001STLWQ Stückkosten betragen 2.36 USD; das DMTH10H1M7STLWQ Stückkosten betragen 2.36 USD; und der DMTH10H2M5STLWQ Die Stückkosten betragen 2.00 USD.