Diodes Inc. melancarkan MOSFET TOL berkadar semasa tinggi untuk aplikasi EV

Kemas kini: 16 November 2021

Diod Incorporated baru-baru ini memperkenalkan portfolio automotif mosfet dibungkus dalam pakej TOL (PowerDI®1012-8) yang menjimatkan ruang dan cekap haba. Mampu beroperasi hingga 175°C, DMTH100H10M1STLWQ dan DMTH7H10M2STLWQ berkadar 5V, serta MOSFET DMTH80STLWQ berkadar 8001V menduduki 20% kurang kawasan PCB berbanding TO263. Peranti ini menampilkan profil luar papan hanya 2.4mm. Ini menjadikan ia sesuai untuk digunakan dalam aplikasi kuasa kebolehpercayaan tinggi, seperti pemulihan tenaga, alternator pemula bersepadu dan penukar DC-DC dalam kenderaan yang dilengkapi bateri.

Pakej TOLL menggunakan ikatan klip untuk mencapai rintangan pakej yang rendah dan kearuhan pakej parasit yang dikurangkan yang membolehkan DMTH8001STLWQ, DMTH10H1M7STLWQ dan DMTH10H2M5STLWQ untuk mencapai rintangan pada tipikal 1.3mΩ, 1.4mΩ dan 1.68mΩ masing-masing pada pemacu 10mΩ. Selain itu, induktansi pakej parasit yang rendah memberikan penambahbaikan dalam litar Prestasi EMI.

Dengan kawasan sentuhan pateri yang 50% lebih besar daripada TO263, pakej TOL membolehkan galangan haba kotak simpang 0.65°C/W, membolehkan MOSFET ini mengendalikan arus sehingga 270A. Plumbum beralur trapezoid bersalut timah membantu memudahkan prosedur pemeriksaan optik automatik (AOI). MOSFET ini layak untuk AEC-Q101, berkeupayaan PPAP, dan dikilangkan di kemudahan yang diperakui IATF 16949. 

Untuk kuantiti 10,000 keping, yang DMTH8001STLWQ kos seunit ialah $2.36; yang DMTH10H1M7STLWQ kos seunit ialah $2.36; dan juga DMTH10H2M5STLWQ kos seunit ialah $2.00.