Diodes Incorporatus nuper in librarium autocineticum introductus est mosfets packaged in the space saving, thermally-effective TOLL (PowerDI®1012-8) sarcina. Potens operandi ad 175°C, aestimavit 100V DMTH10H1M7STLWQ et DMTH10H2M5STLWQ, plus 80V aestimavit DMTH8001STLWQ MOSFETs occupant 20% minus PCB aream quam TO263. Hae machinis tabulam interretialem plumae iustorum 2.4mm emittunt. Hoc facit specimen pro usu in applicationibus potentiarum ad summum firmitatis, ut industria recuperandi, alternatores inchoati, et DC-DC convertentes in vehiculis instructis altilium.
TELONIUM sarcinis utitur compage plectendi ad reluctationem sarcinam minoris consequendam et inductam inductam parasiticam, qua DMTH8001STLWQ, DMTH10H1M7STLWQ, et DMTH10H2M5STLWQ ad obtinendum typicam in-resistentia 1.3mΩ, 1.4mΩ, et 1.68mΩ, respective ad portam actiuam 10V. Praeterea, humilis sarcina parasitica inducta melioramentis praebet circuit iETAS faciendum.
Cum area contactus solidi quod est 50% maior quam TO263, involucrum theloneum efficit impedimentum scelerisque casui impedimentum 0.65°C/W, permittens haec MOSFETs ut excursus usque ad 270A tractare permittat. Eorum stanneus trapezoidales sulcatus ducit auxilium ad inspectionem opticam automated faciliorem (AOI) procedendi. Haec MOSFETs ad AEC-Q101, PPAP habiles sunt, et in IATF 16949 facultates certificatae conficiuntur.
Pro 10,000 quantitates nummum, the DMTH8001STLWQ unitas pretium est $2.36; the DMTH10H1M7STLWQ unitas pretium est $2.36; et DMTH10H2M5STLWQ unitas pretium est $2.00.