Diodes Incorporated a récemment introduit un portefeuille de produits automobiles mosfet emballé dans le package TOLL (PowerDI®1012-8), peu encombrant et thermiquement efficace. Capables de fonctionner jusqu'à 175 °C, les MOSFET DMTH100H10M1STLWQ et DMTH7H10M2STLWQ 5 V, ainsi que les MOSFET DMTH80STLWQ 8001 V occupent 20 % moins de surface de circuit imprimé que le TO263. Ces appareils présentent un profil hors carte de seulement 2.4 mm. Cela les rend idéaux pour une utilisation dans des applications d'alimentation à haute fiabilité, telles que la récupération d'énergie, les alterno-démarreurs intégrés et les convertisseurs DC-DC dans les véhicules équipés de batteries.
Le boîtier TOLL utilise une liaison par clip pour obtenir une faible résistance de boîtier et une inductance de boîtier parasite réduite permettant aux DMTH8001STLWQ, DMTH10H1M7STLWQ et DMTH10H2M5STLWQ d'obtenir des résistances à l'état passant typiques de 1.3 mΩ, 1.4 mΩ et 1.68 mΩ, respectivement à une commande de grille de 10 V. De plus, la faible inductance parasite du boîtier améliore la circuit Performances EMI.
Avec une zone de contact de soudure 50 % plus grande que le TO263, le boîtier TOLL permet une impédance thermique du boîtier de jonction de 0.65°C/W, permettant à ces MOSFET de gérer des courants jusqu'à 270A. Leurs fils rainurés trapézoïdaux étamés facilitent les procédures d'inspection optique automatisée (AOI). Ces MOSFET sont qualifiés AEC-Q101, compatibles PPAP et sont fabriqués dans des installations certifiées IATF 16949.
Pour des quantités de 10,000 XNUMX pièces, le DMTH8001STLWQ le coût unitaire est de 2.36 $ ; les DMTH10H1M7STLWQ le coût unitaire est de 2.36 $ ; et le DMTH10H2M5STLWQ le coût unitaire est de 2.00 $.