#BSM50GD120DN2E Eupec BSM50GD120DN2E Neu IGBT Module N-CH 1.2KV 50A, BSM50GD120DN2E Bilder, BSM50GD120DN2E Preis, #BSM50GD120DN2E Lieferant
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BSM50GD120DN2E
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
Produkt: IGBT-Siliziummodule
Konfiguration: Sechskant
Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 50 A
Gate-Emitter-Leckstrom: 200 k.A
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Paket / Fall: EconoPACK 2
Marke: Infineon Technologies
Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V
Montageart: Schraube
Pd - Verlustleistung: 350 W
Factory Pack Menge: 10
Lieferantennummer: 6411
IGBT-Module N-CH 1.2KV 50A
Shunlongwei prüfte jedes BSM50GD120DN2E vor dem Versand, alle BSM50GD120DN2E mit 6 Monaten Garantie.