#BSM50GD120DN2E ユーペック BSM50GD120DN2E 新品 IGBT モジュール N-CH 1.2KV 50A、BSM50GD120DN2E 写真、BSM50GD120DN2E 価格、#BSM50GD120DN2E サプライヤー
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Eメール：sales@shunlongwei.com
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BSM50GD120DN2E
メーカー： インフィニオン
製品カテゴリ： IGBTモジュール
製品： IGBTシリコンモジュール
構成： 16進法
コレクター-エミッター 電圧 VCEO Max： 1200 V
コレクター-エミッター飽和電圧： 2.5 V
25℃での連続コレクタ電流： 50 A
ゲートエミッタリーク電流： 200nA
最高使用温度： + 150℃
パッケージ/ケース： エコノパック2
メーカー： インフィニオンテクノロジーズ
最大ゲートエミッタ電圧： 20 V
取り付け様式： スクリュードライバーを使用
Pd –消費電力： 350 W
工場パックの数量： 10
仕入先番号： 6411
IGBTモジュールN-CH1.2KV 50A
Shunlongweiは、出荷前にすべてのBSM50GD120DN2Eを検査し、すべてのBSM50GD120DN2Eを6か月の保証付きで検査しました。