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BSM50GD120DN2E
Fabricant: Infineon
Catégorie de produits: Modules IGBT
Produit: Modules silicium IGBT
Configuration: Hex
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Tension de saturation collecteur-émetteur: 2.5 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 50
Courant de fuite porte-émetteur: 200 na
Température de fonctionnement maximale: + 150°C
Paquet / Cas: ÉconoPACK 2
Marque: Infineon Technologies
Tension maximale de l'émetteur de porte: 20 V
Style de montage: Vis
Pd - Dissipation de puissance: 350 W
Quantité de paquet d'usine: 10
Numéro de vendeur: 6411
Modules IGBT N-CH 1.2KV 50A
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