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BSM50GD120DN2E
Produttore: Infineon
Categoria Del Prodotto: Moduli IGBT
Prodotti: Moduli IGBT in silicone
Configurazione: Hex
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 2.5 V
Corrente continua del collettore a 25 C: Il 50
Corrente di dispersione gate-emettitore: 200 n.a
Temperatura operativa massima: + 150 Do
Pacchetto / caso: Pacchetto Econo 2
Marca: Infineon Technologies
Tensione Gate Emitter Massima: 20 V
Stile di montaggio: Vite
Pd - Dissipazione di potenza: 350 W
Quantità confezione di fabbrica: 10
Codice fornitore: 6411
Moduli IGBT N-CH 1.2KV 50A
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