#FF200R12KE3G EUPEC FF200R12KE3G Neu 200A / 1200V /IGBT/ 2U, FF200R12KE3G Bilder, FF200R12KE3G Preis, # FF200R12KE3G Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Produktkategorie: IGBT Module FF200R12KE3
Hersteller: Infineon
Konfiguration: Dual
Sammler-Emitter Spannung VCEO max: 1200 V.
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 1.7 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 200 A.
Gate-Emitter-Leckstrom: 400 nA
Pd - Verlustleistung: 1.05 kW
Verpackung / Gehäuse: IS5a (62 mm) -7
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Marke: Infineon Technologies
Höhe: 30.9 mm
Länge: 106.4 mm
Maximale Gate-Emitter-Spannung: +/- 20 V.
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montagestil: Schraube
Factory Pack Menge: 10
200A / 1200V / IGBT / 2U
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