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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Categoria Del Prodotto: IGBT Moduli FF200R12KE3
Produttore: Infineon
Configurazione: doppia
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V.
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 1.7 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 200 A
Corrente di dispersione gate-emettitore: 400 nA
Pd - Dissipazione di potenza: 1.05 kW
Confezione / custodia: IS5a (62 mm) -7
Temperatura operativa massima: + 125 C
Marchio: Infineon Technologies
Altezza: 30.9 mm
Lunghezza: 106.4 mm
Tensione massima del gate-emettitore: +/- 20 V.
Temperatura di esercizio minima: - 40 ° C
Stile di montaggio: vite
Quantità confezione da fabbrica: 10
200A / 1200V / IGBT / 2U
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