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Email: sales@shunlongwei.com
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Categoria de Produto: IGBT Módulos FF200R12KE3
Fabricante: Infineon
Configuração: Dual
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 1.7 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 200 A
Corrente de vazamento de porta-emissor: 400 nA
Pd - Dissipação de energia: 1.05 kW
Pacote / Caixa: IS5a (62 mm) -7
Temperatura máxima de operação: + 125 C
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30.9 mm
Comprimento: 106.4 mm
Tensão máxima do emissor da porta: +/- 20 V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 10
200A / 1200V / IGBT / 2U
Shunlongwei inspecionado todos os FF200R12KE3G antes do envio, todos os FF200R12KE3G com 6 meses de garantia.