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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Catégorie de produits: IGBT Modules FF200R12KE3
Fabriquant: Infineon
Configuration: double
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 1.7 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 200 A
Courant de fuite porte-émetteur: 400 nA
Pd - Dissipation de puissance: 1.05 kW
Emballage / boîte: IS5a (62 mm) -7
Température de fonctionnement maximale: + 125 C
Marque: Infineon Technologies
Hauteur : 30.9 mm
Longueur : 106.4 mm
Tension maximale de l'émetteur de porte: +/- 20 V
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Style de montage: vis
Quantité par emballage d'usine: 10
200A / 1200V / IGBT / 2U
Shunlongwei inspecté chaque FF200R12KE3G avant expédition, tous les FF200R12KE3G avec 6 mois de garantie.