Erweiterung des Angebots an 80-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit der Einführung eines neuen Verfahrens zur Verbesserung der Effizienz von Netzteilen: TK2R4E08QM, TK3R3E08QM, TK5R3E08QM, TK7R0E08QM, TK2R4A08QM, TK3R2A08Q5,
Anmerkungen:
[1] Unter Produkten mit der gleichen Bewertung, Stand Februar 2021. Toshiba-Umfrage.
[2] Im Vergleich zu TK100E08N1 (U-MOSVIII-H-Serie) hat TK2R4E08QM seinen "typischen Drain-Source-Einschaltwiderstand × typische Gate-Switch-Ladung" um etwa 8% reduziert.
Eigenschaften
- Das niedrigste Niveau der Branche[1] Einschaltwiderstand:
RDS (EIN)= 2.44 mΩ (max) ＠VGS= 10 V (TK2R4E08QM) - Niedrige Ladung (Ausgang und Gate-Schalter)
- Niedrig-Gate-Spannungsantrieb (6-V-Antrieb)
Anwendungen
- Schaltnetzteile für Industrieanlagen
(Hocheffiziente AC / DC-Wandler, hocheffiziente DC / DC-Wandler usw.) - Motorsteuergeräte (Motortreiber usw.)
Produktspezifikationen
(Sofern nicht anders angegeben, @Ta= 25 ° C)
Interne Schaltkreise
Beispiele für Anwendungsschaltungen
Hinweis: Die in diesem Dokument gezeigten Anwendungsschaltungen dienen nur zu Referenzzwecken.
Insbesondere in der Entwurfsphase der Massenproduktion ist eine gründliche Bewertung erforderlich.
Durch die Bereitstellung dieser Anwendungsschaltungsbeispiele wird keine Lizenz für gewerbliche Schutzrechte gewährt.