Extension de la gamme de MOSFET de puissance 80 V à canal N avec l'adoption d'un nouveau processus qui contribue à améliorer l'efficacité des alimentations: TK2R4E08QM, TK3R3E08QM, TK5R3E08QM, TK7R0E08QM, TK2R4A08QM, TK3M T2P08QM, TK5M T1P08QM, TK6M T8P08QM, TK5M T1P08QM, TK6M T9P08QM, TKXNUMXM TXNUMXRXNUMXA
Notes:
[1] Parmi les produits avec la même note, en février 2021. Enquête Toshiba.
[2] Comparé au TK100E08N1 (série U-MOSVIII-H), le TK2R4E08QM a réduit sa «résistance à la source drain-source typique × charge de commutateur de grille typique» d'environ 8%.
Fonctionnalités:
- Niveau le plus bas de l'industrie Sur-résistance:
RDS (ON)= 2.44 mΩ (max) ＠VGS= 10 V (TK2R4E08QM) - Faible charge (sortie et commutateur de porte)
- Commande de tension de grille basse (commande 6 V)
Applications
- Alimentations à découpage pour équipements industriels
(Convertisseurs AC-DC à haut rendement, convertisseurs DC-DC à haut rendement, etc.) - Équipement de contrôle de moteur (pilotes de moteur, etc.)
Spécifications du produit
(Sauf indication contraire, @Ta= 25 ° C)
Circuits internes
Exemples de circuits d'application
Remarque: Les circuits d'application illustrés dans ce document sont fournis à titre de référence uniquement.
Une évaluation approfondie est nécessaire, en particulier au stade de la conception de la production de masse.
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