Expansio lineae 80 V N-canali potentiae MOSFETs cum adoptione novi processus qui adiuvat ad meliorem efficien- tiam commeatus : TK2R4E08QM, TK3R3E08QM, TK5R3E08QM, TK7R0E08QM, TK2R4A08QM, TK3R2A08QM5QM, TK1R08A6QM8QM, TK08R5A1QM08QM, TK6R9E08QM, TKXNUMXRXNUMXAXNUMXQM, TKXNUMXRXNUMXAXNUMXQMXNUMXQM, TKXNUMXRXNUMXAXNUMXQMXNUMXQM, TKXNUMXRXNUMXAXNUMXQMXNUMXQM, TKXNUMXRXNUMXEXNUMXQM, TKXNUMXRXNUMXAXNUMXQM, TKXNUMXRXNUMXAXNUMXQMXNUMXQM, TKXNUMXRXNUMXAXNUMXQMXNUMXQM, TKXNUMXRXNUMXAXNUMXQMXNUMXQM XNUMXPXNUMXQM, TKXNUMXRXNUMXPXNUMXQM
Notes:
[1] Inter producta cum eadem aestimatione ac die mensis Februarii, anno 2021. Toshiba percontatio.
[2] Comparatus cum seriebus TK100E08N1 (U-MOSVIII-H), TK2R4E08QM suum "typicum fontem exhauriens On-resistentiam portae typicae iniquum transitum" ab circiter 8% reduxit.
Features
- Industria scriptor ultimo gradu[1] Repugnantia :
RDS(ON)= 2.44 mΩ (max) ＠VGS= 10 V (TK2R4E08QM) - Minimum crimen (output et porta switch)
- Porta humilis voltage coegi (6 V coegi)
Applications
- Commutatione copiarum industriae apparatu
(Plenam efficientiam AC-DC convertentium, efficientiam altam DC-DC convertentium, etc.). - Motricium armorum imperium (Motor drivers, etc.)
productum Specifications
(Nisi aliud certum, @T'a=25 °C)
Internus Circuitus
Application Circuit Exempla
Nota: Applicatio circuitus in hoc documento exhibitae ad tantum proposita referentiae providentur.
Perpensio requiritur, praesertim in scaena instrumenti productionis massae.
Haec applicationis ambitus exempla praebens nullam licentiam tribuit iurium proprietatum industrialium.