Mở rộng dòng sản phẩm MOSFET nguồn 80 V N-kênh với việc áp dụng quy trình mới giúp nâng cao hiệu quả của các nguồn cung cấp điện: TK2R4E08QM, TK3R3E08QM, TK5R3E08QM, TK7R0E08QM, TK2R4A08QM, TK3R2Q08M5QA1QM08QA6QM8QM08QM5
Ghi chú:
[1] Trong số các sản phẩm có cùng xếp hạng, tính đến tháng 2021 năm XNUMX. Khảo sát của Toshiba.
[2] So với TK100E08N1 (sê-ri U-MOSVIII-H), TK2R4E08QM đã giảm "điện trở nguồn tiêu chuẩn × phí công tắc cổng điển hình" khoảng 8%.
Tính năng
- Mức thấp nhất trong ngành[1] Khi kháng:
RDS (BẬT)= 2.44 mΩ (tối đa) ＠VGS= 10 V (TK2R4E08QM) - Phí thấp (đầu ra và cổng chuyển đổi)
- Ổ điện áp cổng thấp (ổ 6 V)
Ứng dụng
- Chuyển đổi nguồn cung cấp cho thiết bị công nghiệp
(Bộ chuyển đổi AC-DC hiệu quả cao, bộ chuyển đổi DC-DC hiệu quả cao, v.v.) - Thiết bị điều khiển động cơ (Trình điều khiển động cơ, v.v.)
Thông số kỹ thuật sản phẩm
(Trừ khi được chỉ định khác, @Ta= 25 ° C)
Mạch bên trong
Ví dụ về mạch ứng dụng
Lưu ý: Các mạch ứng dụng được hiển thị trong tài liệu này chỉ được cung cấp cho mục đích tham khảo.
Cần phải đánh giá kỹ lưỡng, đặc biệt là ở giai đoạn thiết kế sản xuất hàng loạt.
Việc cung cấp các ví dụ về mạch ứng dụng này không cấp bất kỳ giấy phép nào về quyền sở hữu công nghiệp.