#H5PS5162FFR-20L HYNIX H5PS5162FFR-20L Neuer DDR DRAM, 32MX16, 0.35 ns, CMOS, PBGA84, HALOGENFREI UND ROHS-KONFORM, FBGA-84, H5PS5162FFR-20L Bilder, H5PS5162FFR-20L Preis, #H5PS5162FFR-20L Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/h5ps5162ffr-20l.html
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Hersteller-Teilenummer: H5PS5162FFR-20L
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: SK HYNIX INC
Teilepaketcode: BGA
Packungsbeschreibung: TFBGA, BGA84,9X15,32
Pin-Anzahl: 84
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8542.32.00.28
Hersteller: SK Hynix Inc
Risikorang: 5.79
Zugriffsmodus: FOUR BANK PAGE BURST
Zugriffszeit-Max: 0.35 ns
Zusätzliche Funktion: AUTO/SELF REFRESH
Taktfrequenz-Max (fCLK): 500 MHz
E / A-Typ: GEMEINSAM
Interleaved Burst-Länge: 4,8
JESD-30-Code: R-PBGA-B208
JESD-609-Code: e1
Länge: 13 mm
Speicherdichte: 536870912 Bit
Memory IC Typ: DDR DRAM
Speicherbreite: 16
Anzahl der Funktionen: 1
Anzahl der Ports: 1
Anzahl der Terminals: 84
Anzahl der Wörter: 33554432 Wörter
Anzahl der Wörter Code: 32000000
Betriebsmodus: SYNCHRON
Betriebstemperatur-Max: 85 ° C.
Organisation: 32MX16
Ausgabeeigenschaften: 3-STATE
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Paketcode: TFBGA
Paket-Äquivalenzcode: BGA84,9X15,32
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsart: GRID ARRAY
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 260
Netzteile: 1.8 V.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Aktualisierungszyklen: 8192
Sitzhöhe-Max: 1.2 mm
Sequentielle Burst-Länge: 4,8
Standby-Strom-Max: 0.01 A.
Unterkategorie: DRAMs
Versorgungsstrom-Max: 0.3 mA
Versorgung Spannung-Max (Vsup): 1.9 V.
Versorgung Spannung-Min (Vsup): 1.7 V.
Versorgung Spannung-Nom (Vsup): 1.8 V
Oberflächenmontage: JA
Technologie: CMOS
Temperaturstufe: SONSTIGES
Terminal-Finish: Zinn/Silber/Kupfer (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Terminalform: BALL
Anschlussabstand: 0.8 mm
Klemmenposition: UNTEN
Uhrzeit
DDR DRAM, 32MX16, 0.35 ns, CMOS, PBGA84, HALOGENFREI UND ROHS-KONFORM, FBGA-84
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: SK HYNIX INC
Teilepaketcode: BGA
Packungsbeschreibung: TFBGA, BGA84,9X15,32
Pin-Anzahl: 84
ECCN-Code: EAR99
HTS-Code: 8542.32.00.28
Hersteller: SK Hynix Inc
Risikorang: 5.79
Zugriffsmodus: FOUR BANK PAGE BURST
Zugriffszeit-Max: 0.35 ns
Zusätzliche Funktion: AUTO/SELF REFRESH
Taktfrequenz-Max (fCLK): 500 MHz
E / A-Typ: GEMEINSAM
Interleaved Burst-Länge: 4,8
JESD-30-Code: R-PBGA-B208
JESD-609-Code: e1
Länge: 13 mm
Speicherdichte: 536870912 Bit
Memory IC Typ: DDR DRAM
Speicherbreite: 16
Anzahl der Funktionen: 1
Anzahl der Ports: 1
Anzahl der Terminals: 84
Anzahl der Wörter: 33554432 Wörter
Anzahl der Wörter Code: 32000000
Betriebsmodus: SYNCHRON
Betriebstemperatur-Max: 85 ° C.
Organisation: 32MX16
Ausgabeeigenschaften: 3-STATE
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Paketcode: TFBGA
Paket-Äquivalenzcode: BGA84,9X15,32
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsart: GRID ARRAY
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 260
Netzteile: 1.8 V.
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Aktualisierungszyklen: 8192
Sitzhöhe-Max: 1.2 mm
Sequentielle Burst-Länge: 4,8
Standby-Strom-Max: 0.01 A.
Unterkategorie: DRAMs
Versorgungsstrom-Max: 0.3 mA
Versorgung Spannung-Max (Vsup): 1.9 V.
Versorgung Spannung-Min (Vsup): 1.7 V.
Versorgung Spannung-Nom (Vsup): 1.8 V
Oberflächenmontage: JA
Technologie: CMOS
Temperaturstufe: SONSTIGES
Terminal-Finish: Zinn/Silber/Kupfer (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Terminalform: BALL
Anschlussabstand: 0.8 mm
Klemmenposition: UNTEN
Uhrzeit
DDR DRAM, 32MX16, 0.35 ns, CMOS, PBGA84, HALOGENFREI UND ROHS-KONFORM, FBGA-84