#Х5ПС5162ФФР-20Л HYNIX H5PS5162FFR-20L Новая DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HYNIX H84PS5FFR-5162L, изображения FBGA-20, H5PS5162FFR-20L, цена H5PS5162FFR-20L, # HXNUMXPSXNUMXFFR-XNUMXL поставщик
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/h5ps5162ffr-20l.html
-----------------------
Номер детали производителя: H5PS5162FFR-20L
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: устарело
Производитель IHS: SK HYNIX INC.
Код упаковки детали: BGA
Описание упаковки: TFBGA, BGA84,9X15,32
Количество контактов: 84
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8542.32.00.28
Производитель: SK Hynix Inc
Рейтинг риска: 5.79
Режим доступа: РАЗРЫВ ЧЕТЫРЕХ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ
Максимальное время доступа: 0.35 нс
Дополнительная функция: АВТО / САМООБНОВЛЕНИЕ
Максимальная тактовая частота (fCLK): 500 МГц
Тип ввода / вывода: ОБЩИЙ
Длина чередующегося пакета: 4,8
Код JESD-30: R-PBGA-B208.
Код JESD-609: e1.
Длина: 13 мм
Плотность памяти: 536870912 бит
Память IC Тип: DDR DRAM
Ширина памяти: 16
Количество функций: 1
Количество портов: 1
Количество терминалов: 84
Количество слов: 33554432 слов
Код количества слов: 32000000
Режим работы: СИНХРОННЫЙ
Максимальная рабочая температура: 85 ° C
Организация: 32MX16
Выходные характеристики: 3 состояния
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Код упаковки: TFBGA
Код эквивалентности упаковки: BGA84,9X15,32
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: GRID ARRAY
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Источники питания: 1.8 В
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Циклов обновления: 8192
Высота сиденья - макс .: 1.2 мм
Длина последовательного пакета: 4,8
Максимальный ток в режиме ожидания: 0.01 A
Подкатегория: DRAM
Максимальный ток питания: 0.3 мА
Планирование напряжение-Макс (Vsup): 1.9 В
Планирование напряжение-Мин (Vsup): 1.7 В
Планирование напряжение-Номинальное (Vsup): 1.8 В
Поверхностное крепление: ДА
Технологии: CMOS
Температурный класс: ДРУГИЕ
Отделка клемм: олово / серебро / медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Форма терминала: ШАР
Шаг клемм: 0.8 мм
Конечное положение: НИЖНИЙ
Время
DDR DRAM, 32MX16, 0.35 нс, CMOS, PBGA84, БЕЗ ГАЛОГЕНОВ И СООТВЕТСТВИЕ ROHS, FBGA-84
Код RoHS: Да
Код жизненного цикла детали: устарело
Производитель IHS: SK HYNIX INC.
Код упаковки детали: BGA
Описание упаковки: TFBGA, BGA84,9X15,32
Количество контактов: 84
Код ECCN: EAR99
Код HTS: 8542.32.00.28
Производитель: SK Hynix Inc
Рейтинг риска: 5.79
Режим доступа: РАЗРЫВ ЧЕТЫРЕХ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ
Максимальное время доступа: 0.35 нс
Дополнительная функция: АВТО / САМООБНОВЛЕНИЕ
Максимальная тактовая частота (fCLK): 500 МГц
Тип ввода / вывода: ОБЩИЙ
Длина чередующегося пакета: 4,8
Код JESD-30: R-PBGA-B208.
Код JESD-609: e1.
Длина: 13 мм
Плотность памяти: 536870912 бит
Память IC Тип: DDR DRAM
Ширина памяти: 16
Количество функций: 1
Количество портов: 1
Количество терминалов: 84
Количество слов: 33554432 слов
Код количества слов: 32000000
Режим работы: СИНХРОННЫЙ
Максимальная рабочая температура: 85 ° C
Организация: 32MX16
Выходные характеристики: 3 состояния
Материал корпуса упаковки: ПЛАСТИК / ЭПОКСИД
Код упаковки: TFBGA
Код эквивалентности упаковки: BGA84,9X15,32
Форма упаковки: ПРЯМОУГОЛЬНАЯ
Стиль упаковки: GRID ARRAY
Пиковая температура оплавления (Cel): 260
Источники питания: 1.8 В
Статус квалификации: не соответствует требованиям
Циклов обновления: 8192
Высота сиденья - макс .: 1.2 мм
Длина последовательного пакета: 4,8
Максимальный ток в режиме ожидания: 0.01 A
Подкатегория: DRAM
Максимальный ток питания: 0.3 мА
Планирование напряжение-Макс (Vsup): 1.9 В
Планирование напряжение-Мин (Vsup): 1.7 В
Планирование напряжение-Номинальное (Vsup): 1.8 В
Поверхностное крепление: ДА
Технологии: CMOS
Температурный класс: ДРУГИЕ
Отделка клемм: олово / серебро / медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Форма терминала: ШАР
Шаг клемм: 0.8 мм
Конечное положение: НИЖНИЙ
Время
DDR DRAM, 32MX16, 0.35 нс, CMOS, PBGA84, БЕЗ ГАЛОГЕНОВ И СООТВЕТСТВИЕ ROHS, FBGA-84