#H5PS5162FFR-20L HYNIX H5PS5162FFR-20L Nuova DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE E CONFORME ROHS, FBGA-84, immagini H5PS5162FFR-20L, prezzo H5PS5162FFR-20L, fornitore #H5PS5162FFR-20L
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/h5ps5162ffr-20l.html
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Codice produttore: H5PS5162FFR-20L
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Ihs Produttore: SK HYNIX INC
Codice pacchetto parte: BGA
Descrizione del pacchetto: TFBGA, BGA84,9X15,32
Numero pin: 84
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8542.32.00.28
Produttore: SK Hynix Inc
Grado di rischio: 5.79
Modalità di accesso: FOUR BANK PAGE BURST
Tempo massimo di accesso: 0.35 ns
Caratteristica aggiuntiva: AUTO/SELF REFRESH
Frequenza di clock massima (fCLK): 500 MHz
Tipo I / O: COMMON
Interleaved Burst Lunghezza: 4,8
Codice JESD-30: R-PBGA-B208
Codice JESD-609: e1
Lunghezza: 13 mm
Densità di memoria: 536870912 bit
Memorie IC Tipo: DDR DRAM
Larghezza memoria: 16
Numero di funzioni: 1
Numero di porte: 1
Numero di terminali: 84
Numero di parole: 33554432 parole
Codice del numero di parole: 32000000
Modalità di funzionamento: SINCRONA
Temperatura di esercizio-Max: 85 ° C
Organizzazione: 32MX16
Caratteristiche di uscita: 3-STATO
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Codice pacchetto: TFBGA
Codice di equivalenza del pacchetto: BGA84,9X15,32
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: GRID ARRAY
Temperatura di riflusso di picco (Cel): 260
Alimentatori: 1.8 V.
Stato della qualifica: non qualificato
Cicli di aggiornamento: 8192
Altezza massima seduta: 1.2 mm
Lunghezza burst sequenziale: 4,8,
Corrente di standby massima: 0.01 A.
Sottocategoria: DRAM
Corrente di alimentazione max .: 0.3 mA
Alimentazione voltaggio-Max (Vsup): 1.9 V.
Alimentazione voltaggio-Min (Vsup): 1.7 V
Alimentazione voltaggio-Nom (Vsup): 1.8 V
Montaggio superficiale: SI
Tecnologia: CMOS
Grado di temperatura: ALTRO
Finitura terminale: stagno/argento/rame (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Modulo terminale: BALL
Passo terminale: 0.8 mm
Posizione terminale: BOTTOM
Ora
DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE E CONFORME ROHS, FBGA-84
Codice Rohs: Sì
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Ihs Produttore: SK HYNIX INC
Codice pacchetto parte: BGA
Descrizione del pacchetto: TFBGA, BGA84,9X15,32
Numero pin: 84
Codice ECCN: EAR99
Codice HTS: 8542.32.00.28
Produttore: SK Hynix Inc
Grado di rischio: 5.79
Modalità di accesso: FOUR BANK PAGE BURST
Tempo massimo di accesso: 0.35 ns
Caratteristica aggiuntiva: AUTO/SELF REFRESH
Frequenza di clock massima (fCLK): 500 MHz
Tipo I / O: COMMON
Interleaved Burst Lunghezza: 4,8
Codice JESD-30: R-PBGA-B208
Codice JESD-609: e1
Lunghezza: 13 mm
Densità di memoria: 536870912 bit
Memorie IC Tipo: DDR DRAM
Larghezza memoria: 16
Numero di funzioni: 1
Numero di porte: 1
Numero di terminali: 84
Numero di parole: 33554432 parole
Codice del numero di parole: 32000000
Modalità di funzionamento: SINCRONA
Temperatura di esercizio-Max: 85 ° C
Organizzazione: 32MX16
Caratteristiche di uscita: 3-STATO
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Codice pacchetto: TFBGA
Codice di equivalenza del pacchetto: BGA84,9X15,32
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: GRID ARRAY
Temperatura di riflusso di picco (Cel): 260
Alimentatori: 1.8 V.
Stato della qualifica: non qualificato
Cicli di aggiornamento: 8192
Altezza massima seduta: 1.2 mm
Lunghezza burst sequenziale: 4,8,
Corrente di standby massima: 0.01 A.
Sottocategoria: DRAM
Corrente di alimentazione max .: 0.3 mA
Alimentazione voltaggio-Max (Vsup): 1.9 V.
Alimentazione voltaggio-Min (Vsup): 1.7 V
Alimentazione voltaggio-Nom (Vsup): 1.8 V
Montaggio superficiale: SI
Tecnologia: CMOS
Grado di temperatura: ALTRO
Finitura terminale: stagno/argento/rame (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Modulo terminale: BALL
Passo terminale: 0.8 mm
Posizione terminale: BOTTOM
Ora
DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, HALOGEN FREE E CONFORME ROHS, FBGA-84