#H5PS5162FFR-20L HYNIX H5PS5162FFR-20L 새로운 DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 무할로겐 및 ROHS 준수, FBGA-84, H5PS5162FFR-20L 사진, H5PS5162FFR-20L 가격, #H5PS5162FFR-20L 공급업체
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/h5ps5162ffr-20l.html
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제조업체 부품 번호: H5PS5162FFR-20L
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 폐기 됨
제조사 : SK HYNIX INC
부품 패키지 코드 : BGA
패키지 설명: TFBGA, BGA84,9X15,32
Pin Count : 84
ECCN 코드 : EAR99
HTS 코드 : 8542.32.00.28
제조사: SK하이닉스(주)
위험 순위 : 5.79
액세스 모드 : FOUR BANK PAGE BURST
최대 액세스 시간 : 0.35ns
추가 기능 : AUTO / SELF REFRESH
최대 클록 주파수(fCLK): 500MHz
I / O 유형 : 공통
인터리브 버스트 길이 : 4,8
JESD-30 코드 : R-PBGA-B208
JESD-609 코드 : e1
길이: 13mm
메모리 밀도 : 536870912 비트
메모리 IC 유형 : DDR DRAM
메모리 폭 : 16
함수의 수 : 1
포트 수 : 1
터미널 수 : 84
단어 수 : 33554432 단어
단어 수 코드 : 32000000
작동 모드 : 동시
작동 온도-최대 : 85 ° C
조직 : 32MX16
출력 특성 : 3- 상태
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 코드: TFBGA
패키지 등가 코드 : BGA84,9X15,32
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : GRID ARRAY
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
전원 공급 장치 : 1.8V
자격 상태 : 자격 없음
새로 고침주기 : 8192
최대 장착 높이 : 1.2mm
순차 버스트 길이: 4,8
대기 전류-최대 : 0.01 A
하위 범주 : DRAM
공급 전류-최대 : 0.3mA
혁신기술 전압-최대 (Vsup) : 1.9V
혁신기술 전압-최소 (Vsup) : 1.7V
혁신기술 전압-Nom (Vsup) : 1.8V
표면 실장 : 예
Technology: CMOS
온도 등급 : 기타
끝 끝 : 주석 /은 / 구리 (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
터미널 형태 : BALL
터미널 피치 : 0.8mm
터미널 위치 : BOTTOM
Time
DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 할로겐 프리 및 ROHS 준수, FBGA-84
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 폐기 됨
제조사 : SK HYNIX INC
부품 패키지 코드 : BGA
패키지 설명: TFBGA, BGA84,9X15,32
Pin Count : 84
ECCN 코드 : EAR99
HTS 코드 : 8542.32.00.28
제조사: SK하이닉스(주)
위험 순위 : 5.79
액세스 모드 : FOUR BANK PAGE BURST
최대 액세스 시간 : 0.35ns
추가 기능 : AUTO / SELF REFRESH
최대 클록 주파수(fCLK): 500MHz
I / O 유형 : 공통
인터리브 버스트 길이 : 4,8
JESD-30 코드 : R-PBGA-B208
JESD-609 코드 : e1
길이: 13mm
메모리 밀도 : 536870912 비트
메모리 IC 유형 : DDR DRAM
메모리 폭 : 16
함수의 수 : 1
포트 수 : 1
터미널 수 : 84
단어 수 : 33554432 단어
단어 수 코드 : 32000000
작동 모드 : 동시
작동 온도-최대 : 85 ° C
조직 : 32MX16
출력 특성 : 3- 상태
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 코드: TFBGA
패키지 등가 코드 : BGA84,9X15,32
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : GRID ARRAY
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
전원 공급 장치 : 1.8V
자격 상태 : 자격 없음
새로 고침주기 : 8192
최대 장착 높이 : 1.2mm
순차 버스트 길이: 4,8
대기 전류-최대 : 0.01 A
하위 범주 : DRAM
공급 전류-최대 : 0.3mA
혁신기술 전압-최대 (Vsup) : 1.9V
혁신기술 전압-최소 (Vsup) : 1.7V
혁신기술 전압-Nom (Vsup) : 1.8V
표면 실장 : 예
Technology: CMOS
온도 등급 : 기타
끝 끝 : 주석 /은 / 구리 (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
터미널 형태 : BALL
터미널 피치 : 0.8mm
터미널 위치 : BOTTOM
Time
DDR DRAM, 32MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 할로겐 프리 및 ROHS 준수, FBGA-84