#FF200R12KE3 Infineon FF200R12KE3 Neu IGBT Module 1200V 200A DUAL, FF200R12KE3 Bilder, FF200R12KE3 Preis, #FF200R12KE3 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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FF200R12KE3
Produktkategorie: IGBT Module FF200R12KE3
Hersteller: Infineon
RoHS: JA
Konfiguration: Dual
Sammler-Emitter Spannung VCEO-Max.: 1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigung Spannung: 1.7 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 ° C: 200 A
Gate-Emitter-Leckstrom: 400 k.A
Pd - Verlustleistung: 1.05 kW
Paket / Fall: IS5a (62 mm) -7
Maximale Betriebstemperatur: + 125 C
Marke: Infineon Technologies
Größe: 30.9mm
Länge: 106.4mm
Maximaler Gate-Emitter Spannung: +/- 20 V.
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C.
Montageart: Schraube
Factory Pack Menge: 10
Breite: 61.4mm
IGBT Module 1200V 200A DUAL
Shunlongwei inspiziert jeden FF200R12KE3 vor dem Versand, alle FF200R12KE3 mit 6 Monaten Garantie.