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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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FF200R12KE3
Categoria de nuestros producto: IGBT Módulos FF200R12KE3
Fabricante: Infineon
RoHS: Si
Configuración: Doble
Colector- Emisor voltaje VCEO máx.: 1200 V
Saturación colector-emisor voltaje: 1.7 V
Corriente continua del colector a 25 C: 200 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 na
Pd - Disipación de energía: 1.05 kW
Paquete / Estuche: IS5a (62 mm) -7
Temperatura máxima de funcionamiento: + 125C
Marca: Infineon Technologies
Alto 30.9 mm
Eslora: 106.4 mm
Emisor de puerta máximo voltaje: +/- 20 V
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Estilo de montaje: Tornillo
Cantidad de paquete de fábrica: 10
Ancho 61.4 mm
IGBT Módulos 1200V 200A DOBLE
Shunlongwei inspeccionó todos los FF200R12KE3 antes del envío, todos los FF200R12KE3 con 6 meses de garantía.